1. MOSFET 특성 parameter 계산 데이터 시트를 사용하여 문턱 전압 VT와 전도도 계수 kn을 구했습니다. kn을 구하기 위해 필요한 수식과 수치를 자세히 설명했습니다. 또한 구한 kn 값을 이용하여 과전압 VOV=0.6V일 때의 전도 transconductance gm 값을 계산했습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계했습니다. PSPICE를 이용해 드레인 전류-게이트 전압(iD-vGS) 특성 곡선을 시뮬레이션했습니다. 이를 통해 문턱 전압 VT를 구하고 데...

1. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...