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논리회로 시간 지연 측정 실험 보고서2025.01.281. 논리회로 시간 지연 측정 이 실험은 논리회로의 기본 구성 요소인 인버터 IC를 이용하여 NOT 게이트 2개를 구성하고, 함수발생기와 오실로스코프를 활용하여 신호 전송 시간차를 측정함으로써 논리회로의 시간 지연 측정을 분석하는 것을 목표로 하였습니다. 실험을 통해 논리회로의 시간 지연 측정 및 오차 분석의 중요성을 인식하게 되었습니다. 2. 디지털 회로 설계 이 실험을 통해 디지털 회로 설계 시 지연 시간의 영향을 최소화하기 위한 방법이 필요함을 인식하게 되었습니다. 회로의 설계 및 동작 원리와 관련된 지연 시간 문제를 고려해야...2025.01.28
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아날로그 및 디지털 회로 설계실습 결과보고서72025.01.171. 논리 게이트 회로 구현 논리 게이트 소자를 이용하여 NAND, NOR, XOR 게이트 회로를 구현하고 진리표와 실험 결과를 비교하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 또한 NAND, NOT 게이트를 사용하여 3입력 NAND 게이트의 등가회로를 구성할 수 있음을 확인하였다. 2. 게이트 회로의 시간 지연 측정 AND 게이트와 OR 게이트를 직렬로 연결하고 구형파를 입력하여 시간 지연을 측정하였다. 게이트 개수가 증가할수록 시간 지연이 길어지는 것을 확인하였다...2025.01.17
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영아의 기억발달) 영아기 기억능력의 발달 및 측정방법2025.01.291. 영아기 기억능력의 발달 영아의 기억발달은 환경에서 주어진 정보를 저장하는 것뿐만 아니라 주변 자극과 정보에 주의를 기울이고 저장된 정보를 필요한 시점에 인출할 수 있는 능력을 포함한다. 영아기 기억능력은 영아가 경험을 통해 지식을 쌓고 세상을 이해하는 데 기초가 된다. 영아의 기억능력은 연령이 증가함에 따라 점차 발달하며, 뇌의 성숙도와도 관련이 있다. 2. 영아기 기억능력의 측정 영아의 기억능력은 습관화를 통해 측정할 수 있다. 영아를 특정 자극에 습관화시킨 후 새로운 자극으로 검사하여 단기기억을 측정할 수 있다. 또한 습관...2025.01.29
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아날로그 및 디지털회로설계실습 7장 결과보고서2025.01.041. 논리 게이트 구현 및 동작 실험을 통해 AND, OR, NOT 게이트를 사용하여 NAND, NOR, XOR 게이트의 진리표와 등가회로를 작성하고 입출력 전압을 측정하였다. NAND 게이트만을 사용하여 AND, OR, NOT 게이트의 등가회로를 구성하였으며, 3입력 NAND 게이트의 등가회로도 구현하였다. 2. 게이트 소자의 시간 지연 특성 AND 게이트와 OR 게이트를 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프로 입출력 신호를 측정하여 시간 지연을 확인하였다. AND 게이트의 경우 한 stage당 rise time delay 5.5...2025.01.04
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아날로그 및 디지털 회로 설계 실습 결과보고서7 논리함수와 게이트2025.05.151. 논리 게이트 이번 실습에서는 기본적인 AND, OR, NOT 게이트를 이용하여 NAND, NOR, XOR 게이트를 구성하고, 진리표의 결과를 확인하였습니다. 또한 NAND와 NOT 게이트만을 이용하여 AND, OR, NOT 게이트 등의 여러 종류의 게이트를 등가적으로 구성하는 과정도 포함되어 있었습니다. 이를 통해 Digital 회로의 가장 기본적인 게이트의 특성을 이해할 수 있었습니다. 2. 게이트 지연 시간 측정 AND 게이트와 OR 게이트를 각각 여러 개 직렬로 연결하고 오실로스코프의 2개 채널에 입출력을 연결한 다음, ...2025.05.15
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시멘트응결 결과보고서2025.01.281. 시멘트 응결 시멘트에 물을 가했을 때부터 수화반응이 일어나면서 열이 발생하고, 유동성이 큰 상태에서 시간이 지나면서 유동성을 잃으면서 형상을 유지할 정도로만 굳어질 때까지의 과정을 응결이라고 한다. 응결 이후의 강도가 발현되는 과정은 경화라고 한다. 시멘트의 응결시간을 알고 있어야 콘크리트 응결시간을 측정할 수 있고 운반, 타설, 다짐 등의 시공계획을 세울 수 있다. 시멘트의 풍화같이 품질이 떨어지는 경우 응결시간이 비정상적이므로 시멘트 응결시험으로 이를 판단할 수 있다. 2. 시멘트 응결 영향 요인 시멘트 응결 속도에 영향을...2025.01.28
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[예비보고서]중앙대학교 아날로그및디지털회로설계실습 논리함수와 게이트2025.05.101. NAND 게이트 설계 및 특성 분석 NAND 게이트를 AND, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 1인 경우 출력이 0이 되는 것을 확인할 수 있었다. NAND 게이트의 진리표를 제시하였다. 2. NOR 게이트 설계 및 특성 분석 NOR 게이트를 OR, NOT 게이트를 활용하여 설계하였다. 시뮬레이션 결과 입력이 둘 다 0인 경우 출력이 1이 되는 것을 확인할 수 있었다. NOR 게이트의 진리표를 제시하였다. 3. XOR 게이트 설계 및 특성 분석 XOR 게이트의 회로도와 시뮬레이션 결과를 제시...2025.05.10
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전기회로설계실습 실습7 예비보고서2025.01.201. DMM의 내부저항 측정 DMM의 내부저항을 측정하는 방법은 DMM을 저항 측정 모드로 하여 R의 값을 측정하고, DMM을 전압 측정 모드로 바꾼 후 DMM에서 측정된 전압을 통해 Rd를 구하는 것이다. 이는 voltage division 원리를 이용하여 계산할 수 있다. 2. RC time constant 측정 DMM의 내부저항과 2.2μF의 커패시터를 이용하여 RC time constant를 측정하는 방법은 왼쪽 회로를 사용하는 것이다. 먼저 왼쪽 스위치를 닫아 커패시터를 충전시킨 후, 왼쪽 스위치를 열고 오른쪽 스위치를 닫...2025.01.20
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RLC 교류 회로 레포트2025.05.011. R-C 회로 실험1에서는 R-C 회로를 구성하고 전압과 전류를 측정하여 위상자 도표를 그리고 실험값과 이론값을 비교하였습니다. 저항과 축전기에 걸리는 전압, 회로에 흐르는 전류 등을 측정하고 이론값을 계산하여 위상각을 비교하였습니다. 2. R-L 회로 실험2에서는 R-L 회로를 구성하고 전압과 전류를 측정하여 위상자 도표를 그리고 실험값과 이론값을 비교하였습니다. 저항과 코일에 걸리는 전압, 회로에 흐르는 전류 등을 측정하고 이론값을 계산하여 위상각을 비교하였습니다. 3. R-L-C 회로 실험3에서는 R-L-C 회로를 구성하고...2025.05.01
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중앙대학교 전기회로 설계실습 결과보고서 7. RC회로의 시정수 측정회로 및 방법설계2025.04.291. RC 회로 이번 실험에서는 저항과 커패시터로 구성된 RC 회로의 time constant를 측정하는 방법에 대해 알아보았으며, 오실로스코프에 나타나는 파형을 통해 커패시터와 time constant의 기능과 동작 원리, 의미 등을 확인할 수 있었다. DMM의 내부 저항과 커패시터를 활용하여 RC time constant를 측정하고, 이론값과 비교하여 오차율을 분석하였다. 또한 Function generator를 이용하여 RC 회로의 동작을 관찰하고, 사각파 입력 시 커패시터의 충전 및 방전 특성을 확인하였다. 2. DMM 내부...2025.04.29
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