총 36개
-
전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
-
집적회로의 미세화에 대한 무어의 법칙과 그 한계2025.05.051. 무어의 법칙 무어의 법칙은 인텔의 공동 창업자인 고든 무어가 1965년에 발표한 예측으로, 집적회로의 밀도가 매년 대략 2배씩 증가한다는 것을 예측한 것입니다. 이 예측은 현재까지도 크게 벗어나지 않고 지속되어 왔으며, 집적회로 기술의 발전으로 트랜지스터의 크기가 작아지고 적은 면적에 더 많은 트랜지스터를 배치할 수 있게 되었습니다. 이러한 집적회로의 미세화는 전자제품의 성능 향상과 크기 감소 등 다양한 혜택을 제공했습니다. 2. 나노기술 나노기술은 나노미터 단위의 기술을 이용하여 소자를 만드는 기술로, 더욱 미세한 소자를 만...2025.05.05
-
반도체 8대 공정 정리2025.01.161. 웨이퍼 제조 반도체 웨이퍼 제조 공정은 다결정 실리콘을 석영 도가니에 채워 넣는 폴리실리콘 스태킹 공정부터 시작하여, 잉곳 성장, 와이어 쏘잉, 에지 그라인딩, 래핑, 식각, 폴리싱 등 총 15개의 세부 공정으로 이루어져 있다. 이 과정을 통해 실리콘 웨이퍼를 제조하고 청정도와 평탄도를 확보한다. 2. 산화 공정 산화 공정은 실리콘 웨이퍼 표면에 산화막을 형성하는 공정으로, 열산화 방식과 화학적 증착 방식이 있다. 열산화 공정은 웨이퍼 클리닝, 열산화, 두께 검사 등의 단계로 진행된다. 산화막은 소자 간 절연, 게이트 절연막,...2025.01.16
-
전자공학과 세특 (노광장비 EUV관련 공학 탐구 보고서)2025.01.211. 반도체 공정 보고서에서는 반도체 8대 공정 중 포토공정에 대해 자세히 탐구하였습니다. 포토공정은 회로를 그리는 작업으로, 연필심에 비유하여 연필심이 가늘수록 미세한 그림을 그릴 수 있다고 설명하였습니다. 2. 노광장비 포토공정에 사용되는 노광장비에 대해 조사하였습니다. DUV와 EUV 기술의 차이점인 파장의 크기를 제시하였고, EUV 기술이 LPP(Laser Produced Plasma) 방법으로 빛을 발생시킨다는 점을 설명하였습니다. 1. 반도체 공정 반도체 공정은 매우 복잡하고 정밀한 기술입니다. 실리콘 웨이퍼에 다양한 층...2025.01.21
-
Photolithography 예비보고서2025.05.051. 반도체 기본 개념 반도체는 상온에서 전기 전도도가 도체와 부도체 사이인 물질을 말한다. 반도체를 통해 다이오드, 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리와 같은 소자를 만들 수 있게 되었으며 현대 산업의 핵심 물질로 각광받고 있다. 반도체의 종류로는 intrinsic semiconductor(진성반도체)와 extrinsic semiconductor(외인성반도체)가 있으며 extrinsic semiconductor에는 Negative Type과 Positive Type이 있다. 2. 전자 이동도 전기장이 외부에서 가해지면 자유 전자...2025.05.05
-
반도체 취업] 8대공정 간단 정리 및 추가 개념 상세 설명2025.01.181. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정은 크게 웨이퍼 제조, 전공정, 후공정으로 나뉩니다. 웨이퍼 제조 공정에서는 실리콘 웨이퍼를 만들고, 전공정에서는 웨이퍼 위에 회로를 형성하며, 후공정에서는 테스트와 패키징을 진행합니다. 8대 핵심 공정은 산화, 포토, 식각, 박막증착, 금속배선, 전기적 테스트, 패키징 등입니다. 각 공정에서는 다양한 기술이 활용되며, 최근 EUV 리소그래피, ALD 등의 기술이 도입되고 있습니다. 2. 포토리소그래피 공정 포토리소그래피 공정은 반도체 소자의 집적도를 높이는 핵심 공정입니다. 이 공정에서는 마...2025.01.18
-
반도체공정개론 (반도체공학 이론 전량 필기본)2025.05.111. 반도체 제조 공정 반도체 제조 공정에 대한 전반적인 내용을 다루고 있습니다. IC 제작 공정, 클린룸 기본, 웨이퍼 처리 공정, 박막 증착, 포토리소그래피, 식각, 이온주입, 열처리 등 반도체 제조에 필요한 다양한 공정 단계를 설명하고 있습니다. 2. 반도체 소자 구조 및 특성 반도체 소자의 구조와 특성에 대해 다루고 있습니다. MOSFET, BJT, DRAM 등 주요 반도체 소자의 구조와 동작 원리, 특성 등을 설명하고 있습니다. 또한 SOI, 스트레인 실리콘 등 최신 반도체 기술도 소개하고 있습니다. 3. 열처리 공정 반도...2025.05.11
-
[일반화학실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 예비 레포트2025.05.021. 미세접촉 인쇄 미세접촉 인쇄는 릴리프 무늬를 가진 탄성 중합체의 도장에서 도장이 접촉된 부분의 기질로 물질이 이동하는 과정을 나타낸다. 이 과정에서 알케인싸이올이 찍힌 부위에 피브로넥틴이 선택적으로 흡착되고, 이는 도장이 찍힌 부위에 세포들이 선택적으로 부착할 수 있게끔 한다. 2. 자기조립 자기조립은 무질서하게 존재하는 물질들이 일정한 규칙으로 인해 제어된 구조체를 형성하거나 물질들이 일정한 양식으로 배치되는 현상을 나타낸다. 자기조립에는 반데르발스 힘과 수소 결합 등 느슨한 상호작용이 주로 개입하며, 이를 통해 형성된 유기...2025.05.02
-
반도체 D램, 낸드플래시 등의 발전 현황2025.01.021. D램 발전 현황 D램은 CPU 성능 향상과 함께 발전해왔으며, 최근 DDR5 D램이 서버 시장을 중심으로 도입되고 있다. DDR5는 전력 관리 기능이 모듈로 올라오고 다양한 반도체가 탑재되는 등 큰 변화가 있다. 또한 CXL D램은 이기종 메모리 간 공유와 대용량 확장이 가능한 차세대 인터페이스로 주목받고 있다. 그래픽카드용 GDDR D램도 지속적으로 발전하고 있다. 2. 낸드플래시 발전 현황 낸드플래시 업체들은 단수 증가를 통한 고집적화에 주력하고 있다. 삼성전자는 128단 싱글 스택 식각 기술을 보유하고 있어 원가 경쟁력이...2025.01.02
-
[일반화학실험] PDMS를 이용한 미세접촉 인쇄 결과 레포트2025.05.021. PDMS 도장을 이용한 미세접촉 인쇄 PDMS 도장이 찍힌 슬라이드 표면에 숨을 불었을 때 동전에 그려진 그림 모양이 나타나는 것을 관찰할 수 있다. 이는 친수성을 띠는 은 표면이 PDMS 도장에 묻은 소수성의 알케인싸이올과 결합하면서 SAM이 형성되고, 알케인싸이올이 묻지 않은 친수성 영역에만 선택적으로 수증기가 응축되면서 숨을 불었을 때 동전에 그려진 그림 모양을 관찰할 수 있게 되는 것이다. 2. 알케인싸이올과 은 표면의 반응 알케인싸이올과 은 표면 간의 반응은 안정적인 결합을 형성하고, 알케인싸이올들의 긴 소수성 사슬들...2025.05.02
1 / 4
