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소신호 전압 증폭 회로 실험 결과보고서2025.01.041. 소신호 공통이미터 증폭기 이 실험의 목적은 소신호 공통이미터 증폭기의 특성과 동작을 살펴보고, 이득에 영향을 주는 요인을 알아보는 것입니다. 또한 입력 및 출력 신호 간의 위상차가 180°임을 확인하는 것입니다. 실험 결과, 이론값과 실험값 사이에 약간의 차이가 있었지만, 대체로 유사한 결과를 얻을 수 있었습니다. 실험 과정에서 트랜지스터의 방향, 커패시터 연결 방식 등 유의해야 할 점들을 확인할 수 있었습니다. 또한 오실로스코프로는 전류 측정이 어려워 멀티미터로 측정했지만, 예상치 못한 결과가 나와 원인을 분석해볼 필요가 있...2025.01.04
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소신호 전압 증폭 회로 실험 보고서2025.01.041. 소신호 신호 소신호(미약신호)는 센서신호, 수신된 통신신호, 생체신호, 물리/화학현상 신호와 같이 크기가 거의 잡음 수준인 신호를 말한다. 이러한 소신호를 증폭하기 위해서는 입력 및 출력 임피던스 개념을 고려해야 한다. 2. 공통 이미터(Common Emitter) 증폭기 공통 이미터 증폭기는 입력신호가 베이스 단자에 인가되고 컬렉터에서 출력신호가 나오도록 구성된 회로이다. 이 회로는 이미터 단자가 접지되어 입력과 출력에 공통단자 역할을 하므로 공통 이미터 증폭기라고 부른다. 이 증폭기는 저주파 전압 증폭, RF 트랜시버, 저...2025.01.04
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전자회로실험 A+ 3주차 결과보고서(Diode Characteristic&Large/Small Behavior)2025.05.101. 다이오드 특성 실험을 통해 다이오드의 특성을 확인할 수 있었습니다. 순방향 전압이 걸렸을 때 다이오드에 전류가 흐르고, 역방향 전압이 걸렸을 때는 전류가 흐르지 않습니다. 이런 특성과 다이오드의 연결 방향에 따라 출력 전압(Vout)의 파형이 결정됩니다. 또한 특정 전압 이상의 전압이 걸려야 전류가 흐르는 것을 알 수 있었고, 이 전압이 다이오드의 온 전압(VD,on)입니다. 2. 다이오드의 소신호 동작 실험을 통해 전압이 아주 작게 변화할 때는 전류가 선형적으로 변하는 것처럼 보인다는 것을 알 수 있었습니다. 이 경우 다이오...2025.05.10
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트랜지스터 소신호 공통 이미터 교류증폭기 실험2025.11.121. 트랜지스터 증폭특성 트랜지스터는 반도체 소자로서 입력 신호를 증폭하는 기본적인 전자 부품입니다. 증폭특성은 트랜지스터가 입력 신호에 대해 얼마나 큰 출력 신호를 생성하는지를 나타내며, 이는 전압 이득, 전류 이득, 전력 이득 등으로 표현됩니다. 트랜지스터의 증폭 특성을 이해하는 것은 전자회로 설계의 기초가 되며, 실험을 통해 이론적 값과 실제 측정값을 비교 분석할 수 있습니다. 2. 공통 이미터 구성 공통 이미터(Common Emitter) 구성은 트랜지스터 증폭기의 가장 일반적인 형태입니다. 이 구성에서 이미터는 입출력 신호...2025.11.12
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트랜지스터 소신호 공통 컬렉터 교류증폭기 실험2025.11.121. 공통 컬렉터 증폭기 공통 컬렉터 증폭기는 트랜지스터의 컬렉터를 공통으로 접지하고 베이스에 입력신호를 인가하며 이미터에서 출력을 얻는 증폭회로입니다. 이 구성은 높은 입력임피던스와 낮은 출력임피던스를 특징으로 하며, 전압이득은 1에 가까우나 전류이득이 크고 임피던스 정합에 유리합니다. 주로 버퍼 증폭기나 임피던스 변환기로 사용됩니다. 2. 소신호 교류증폭 소신호 교류증폭은 트랜지스터가 선형영역에서 동작할 때 작은 신호의 변화를 증폭하는 과정입니다. 직류 바이어스점 주변에서 교류신호의 작은 변화를 다루며, 이때 트랜지스터의 동적 ...2025.11.12
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MOSFET 소신호증폭기 특성 실험 결과 분석2025.11.181. MOSFET 공통소스 증폭기 N MOSFET의 공통소스 증폭기 동작을 확인하는 실험으로, 드레인 단에서 소신호 전압 이득을 측정했다. MOSFET은 포화 영역에서 동작할 때 증폭기로 사용되며, 입력 소신호에 의한 미소한 게이트-소스 전압 변화가 포화 영역의 가파른 기울기로 인해 출력 소신호에 더 큰 진폭을 생성한다. 실험 결과 입력 소신호 대비 약 3배의 진폭을 갖는 반대 위상의 정현파 출력을 확인했으며, 전압 이득은 2.55~3.25 V/V로 측정되었다. 2. MOSFET 포화 영역 동작 특성 MOSFET이 증폭기로 동작하기...2025.11.18
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[전자공학응용실험] 차동증폭기 기초 실험-예비레포트2025.04.261. 차동 증폭기 기초 실험 이 실험에서는 MOSFET을 사용한 차동 쌍의 동작을 위한 기본 조건을 살펴보고 기본적인 측정을 통하여 검증하고자 한다. 이를 토대로 부하 저항을 연결한 MOSFET 차동 증폭 회로를 구성하여 확인하고 특성을 분석한다. 2. 능동 부하와 전류 거울 집적회로를 설계할 때 일정한 전류원이 가장 기본적인 요소가 되는데, 전류원이 필요한 곳마다 저항을 사용하여 회로를 설계하면 신뢰성이 저항의 정확도에 따라 결정된다. 따라서 수동 부하 저항을 사용하여 집적회로를 설계하기보다는 능동 부하 회로를 이용하는 것이 좋다...2025.04.26
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전자공학실험 12장 소오스 팔로워 A+ 결과보고서2025.01.151. 소오스 팔로워 증폭기 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는 데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다. 2. MOSFET 동작 영역 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하기 위해 각 단자들의 전압을 측정하고 분석하였다. VGS>=Vth이면서 VDS>=VGS-Vth인 경우에 포화 영역, VGS>Vth이면서 VDS<VGS-Vth인 경우에는 트라이오드, VGS<Vth이여서 전류가 흐르지 않을 때는 차단 영...2025.01.15
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LED의 소신호 모델 분석 및 특성2025.05.111. LED 소신호 모델 LED 소자의 전기적 등가회로에서 Rs, Cp, Rj 등의 요소가 갖는 물리적 의미를 설명하였습니다. Rs는 소자 내부의 전력 손실을 의미하며, Cp는 고주파 신호의 커플링 차단 효과를 조절하는 역할을 합니다. Rj는 출력 임피던스의 실수부와 허수부를 조절하는 중요한 저항 매개변수입니다. 2. 임피던스 측정 및 캘리브레이션 임피던스 측정을 위한 Spectroscopy 실험에서 파장이나 진폭이 다른 물질이나 요소에 민감하게 반응하기 때문에, 작은 변화에도 큰 오차가 발생할 수 있습니다. 따라서 이러한 오차를 ...2025.05.11
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실험 13_공통 게이트 증폭기 결과보고서2025.04.281. 공통 게이트 증폭기 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성이 있다. 이 실험에서는 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다. 2. MOSFET 증폭기 회로 이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 실험을 통해 공통 게이트 증폭기의 동작 원리, 전압 이득, 입력-출력 임피던스 등을 확인하였다. 3. 입력-출력 전달 특성 실험회로 1의 입력-출력 전달 특성을 확인하...2025.04.28
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