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스프레드시트(Spread sheet)의 의미와 엑셀의 대표적 기능을 간단히 설명하시오2025.01.211. 스프레드시트의 의미 스프레드시트는 펼쳐진 종이라는 의미로 수량적인 자료처리 기능에 그래픽 기능을 추가한 일종의 통합 프로그램으로 지금까지 회계 관리를 위해 많이 사용하는 프로그램이다. 자료가 가치 있는 정보가 되기 위해 일목요연하게 정리가 되어 있기에 원하는 자료를 언제든지 찾을 수 있고 언제든 갱신할 수 있어야 하는데 스프레드시트는 이를 만족하도록 한다. 이러한 스프레드시트 프로그램 중 엑셀을 예로 들며 셀, 워크시트, 통합문서로 이루어져 있다. 2. 엑셀의 대표적 기능 엑셀은 수량적인 자료처리 기능에 그래픽 기능을 추가한 ...2025.01.21
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스프레드시트(Spread sheet)의 의미와 엑셀의 대표적 기능을 간단히 설명하시오2025.01.191. 스프레드시트 스프레드시트는 행, 열로 이루어진 계산지로 원래는 사무 용도로 개발되어서 사용된 사무용 소프트웨어이다. 하지만 스프레드시트는 셀과 관련한 다양한 함수 기능, 여러 가지 그래프, 통계적인 자료 처리에 대한 편리성 등의 특성이 나타나고 이에 따라 수학 학습에서 유용한 도구로 나타나기도 한다. 스프레드시트는 셀마다 이름이 정해져 있기에 변수의 자리지기로 역할을 하기도 하고 셀 사이 관계를 표현하기도 하며 셀마다 주어진 관련한 값을 자유롭게 변화할 수 있도록 하기에 변수 역동성의 경험에서 효과적이라고 할 수 있다. 2. ...2025.01.19
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[A+] 전자회로설계실습 4차 예비보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성(문턱전압 VT, 전류계수 kn, 전압이득 gm)을 데이터시트를 이용하여 구하고, 회로를 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실험에 사용된 MOSFET은 2N7000 모델이며, 데이터시트 정보를 활용하여 VT와 kn을 계산하고, kn을 이용해 VOV=0.4V일 때의 gm 값을 구했습니다. 또한 OrCAD PS...2025.05.10
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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[A+]전자회로설계실습 예비보고서 42025.01.041. MOSFET 소자 특성 이 보고서의 목적은 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성인 문턱전압(VT), 전도도 계수(kn)를 데이터시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현을 통해 전압 변화에 따른 전류를 측정하여 소자의 특성을 분석하는 것입니다. 준비물로는 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 소자(2N7000) 및 1kΩ 저항이 필요합니다. 실습 계획은 데이터시트를 활용하여 VT와 kn을 구하고, ...2025.01.04
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독거노인과 1인가구를 위한 안전장치2025.05.021. 독거노인 고독사 방지 최근 증가하고 있는 독거노인과 1인가구의 문제점을 해결하기 위해 라즈베리파이를 이용한 안전장치를 개발하였습니다. 터치센서, 초음파센서, 알림센서 등을 활용하여 독거노인의 일상 활동 패턴을 분석하고, 이상 징후 발생 시 보호자에게 신속하게 알림을 보내는 기능을 구현하였습니다. 또한 구글 스프레드시트와 연동하여 실시간으로 데이터를 저장하고 시각화하여 독거노인의 생활 패턴을 모니터링할 수 있도록 하였습니다. 이를 통해 독거노인의 고독사 예방과 신속한 대응이 가능할 것으로 기대됩니다. 2. 1인가구 안전 관리 1...2025.05.02
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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