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정규 분포를 이용한 불량률 추정 32025.05.121. 불량률 추정 실제 현장에서 대량의 양품 데이터 중에서 일부만 불량으로 발생하는 상황에서, 구간별 불량율을 이론적으로 규정하는 방법을 탐구하였습니다. 세 가지 압력 구간에 대하여 불량율을 각각 2.5%, 5%, 10%로 설정하고, 데이터를 시각적으로 표현하는 방법을 제시하였습니다. 이를 통해 현장에서 데이터 구간별 불량율을 정확하게 규정할 수 있으며, 제품 생산 및 품질 관리에 유용하게 활용될 수 있습니다. 2. 정규 분포 정규 분포를 이용하여 불량률을 추정하는 방법을 제시하였습니다. 대량의 양품 데이터 중에서 일부만 불량으로 ...2025.05.12
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컴퓨터를 이용한 전염병 확산 시뮬레이션2025.05.111. 전염병의 정의 전염병이란 병원체에 의해 감염되어 발병하는 질환이다. 병원체에 의한 감염은 다양한 경로로 이루어지며 특히 여러 사람에게 전파되는 감염병을 전염병이라고 한다. 2. 반복문 반복문에는 DO, while, do-while, for 문이 있다. DO 문은 변수 I가 1의 초깃값을 갖고 한 번씩 반복할 때마다 1씩 증가하면서 5보다 작거나 같을 때 실행한다. while 문은 조건식이 참인 동안 문장을 반복해서 실행한다. do-while 문은 문장을 먼저 실행하고 마지막 부분에서 종료 조건을 검사한다. for 문은 초기식을...2025.05.11
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Digital Twin2025.05.041. 디지털 트윈 디지털 트윈은 실세계 데이터를 실시간으로 가상환경에 연결하고 수집한 데이터의 분석 및 시뮬레이션 결과에 따라 자율적으로 실시간 설비 제어까지도 가능한 디지털 운영 체제를 말한다. 디지털 트윈의 세부 기술에는 실시간 예측 및 분석을 위한 AI기술, AR/VR/XR 효율적인 트윈 시각화 기술, 초정밀/고성능 시뮬레이션 기술, 실시간 설비 제어 기술, 실시간 연결을 제공하는 IoT기술 등이 포함된다. 디지털 트윈은 제조 산업에서 플래닝, 스케줄링 최적화, 설비 이상감지, 예지보전, 물류 최적화, 설비 최적세팅 등 다양한...2025.05.04
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디지털통신시스템설계실습6주차2025.05.091. 디지털 통신 시스템 이번 실습을 통해 디지털 통신 시스템에서 Eb/No 값의 변화에 따른 BER의 변화를 시뮬레이션하고 분석할 수 있었습니다. Eb/No 값이 증가할수록 BER이 감소하는 경향을 확인할 수 있었고, 이는 통신 시스템의 성능과 안정성에 큰 영향을 미치는 중요한 요소라는 것을 나타냅니다. 또한 실험적으로 BER과 이론적으로 계산한 BER을 비교하여 실험 횟수가 적을 때는 차이가 있었지만, 시뮬레이션 횟수가 증가함에 따라 오차가 줄어드는 것을 확인할 수 있었습니다. 이를 통해 실제 통신 환경에서의 성능을 정확하게 평...2025.05.09
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[중앙대학교 3학년 1학기 전자회로설계실습] 예비보고서4 구매 시 절대 후회 없음(A+자료)2025.05.141. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: - MOSFET의 문턱 전압(V_T), 전류 계수(k_n), 전압 이득(g_m)을 데이터시트를 이용하여 계산하는 방법 - OrCAD PSPICE를 사용하여 MOSFET 회로도를 설계하고 i_D-v_GS 특성곡선을 시뮬레이션하는 과정 - 시뮬레이션 결과를 이용하여 MOSFET의 특성 파라미터를 구하고...2025.05.14
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중앙대 전자회로 설계 실습 예비보고서 4_MOSFET 소자 특성 측정2025.01.111. MOSFET 특성 parameter 계산 Data Sheet를 이용하여 MOSFET의 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하였습니다. 문턱전압 Vth를 구할 때 필요한 수식과 수치를 자세히 설명하였고, Vgs=0.6V일 때의 Id 값도 계산하였습니다. 2. MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션 OrCAD를 이용하여 MOSFET 회로도를 설계하고, PSPICE로 Id-Vds 특성곡선을 시뮬레이션하였습니다. 시뮬레이션 결과를 이용하여 문턱전압 Vth와 포화전류 Id,sat을 구하고, 이를 Data Sheet 값과 비교하였...2025.01.11
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전자회로설계 및 실습4_설계 실습4. MOSFET 소자 특성 측정_예비보고서2025.01.221. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field Transistor(MOSFET) 소자의 특성(VT, kn, )을 Data Sheet를 이용하여 구하고, 설계, 구현하여 전압의 변화에 따른 전류를 측정하고, 이를 이용하여 소자의 특성을 구하는 것입니다. 보고서에는 MOSFET의 특성 parameter 계산, MOSFET 회로도 구성 및 시뮬레이션, PSPICE를 이용한 특성 곡선 도출 및 분석 등의 내용이 포함되어 있습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFET(Metal-Oxide-Semicondu...2025.01.22
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[A+] 중앙대학교 전자회로 설계실습 예비보고서 4. MOSFET 소자 특성 측정2025.04.291. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) 소자의 특성을 측정하고 분석하는 내용을 다루고 있습니다. 주요 내용은 다음과 같습니다: 1. MOSFET 소자의 특성 파라미터(문턱전압, 드레인 전류 등)를 데이터시트를 이용하여 계산하고 분석합니다. 2. MOSFET 회로를 구성하고 PSPICE 시뮬레이션을 통해 특성 곡선을 도출합니다. 3. 시뮬레이션 결과와 데이터시트 값을 비교하여 오차율을 분석합니다. 4. 실험 환경의 차이로 인...2025.04.29
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MOSFET의 특성측정 예비보고서2025.04.271. MOSFET 특성 측정 이 보고서의 목적은 MOS Field-Effect Transistor(MOSFET) 소자의 특성(V_T, K_n, g_m)을 데이터 시트를 이용하여 구하고, 설계 및 구현하여 전압 변화에 따른 전류를 측정하고 이를 통해 소자의 특성을 구하는 것입니다. 실습에 사용되는 준비물은 DC 전원 공급장치, 디지털 멀티미터, 연결선, 브레드보드, 점퍼 와이어 키트, MOSFET 2N7000 등입니다. 보고서에서는 데이터 시트를 이용한 V_T, K_n 계산, MOSFET 회로도 구성 및 PSPICE 시뮬레이션, V_...2025.04.27
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메타기후와 나의 전공의 연관성_치위생학과2025.01.191. 공중보건 영역에서의 메타기후 활용 기후변화는 예측하기 어렵고 그로 인한 영향 또한 모두 알기 어렵다. 기후로 인해 식수 성분에 변화가 일어난다면 이는 구강건강에 큰 영향을 미칠 수 있다. 수돗물 불소화사업은 충치 예방을 위해 도입되었지만, 불소 농도가 높아지면 치아에 영구적인 불완전 석회화가 발생할 수 있다. 메타 지구 기술을 활용하여 지역 특성을 반영한 예측 모델을 구현한다면 많은 질병을 예방할 수 있고 보다 나은 공중보건이 실현될 것이다. 2. 치과재료 개발에서의 메타기후 활용 치과 재료 기업은 다양한 기후 조건을 시뮬레이...2025.01.19
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