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핵심이 보이는 전자회로실험 BJT 공통이미터 증폭기2025.05.161. NPN형 BJT 공통이미터 증폭기 NPN형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 수 있는 전압이득이 많아지는 것을 확인하였습니다. 2. PNP형 BJT 공통이미터 증폭기 PNP형 BJT 공통이미터 증폭기의 동작 특성을 시뮬레이션과 실험을 통해 분석하였습니다. 시뮬레이션 결과와 측정 결과를 비교하여 전압이득을 계산하고 그래프로 나타내었습니다. 부하저항 RL이 증가하면 얻을 ...2025.05.16
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전자회로실험 과탑 A+ 예비 보고서 (실험 6 공통 이미터 증폭기)2025.01.291. 공통 이미터 증폭기 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 2. BJT 소신호 등가회로 NPN형 BJT의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 동작을 소신호 영역에서 분석하기 위해 사용되는 회로다. 이 회로에서는 BJT의 작동을 저항과 전류원으로 나타내어,...2025.01.29
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실험 11. 공통 이미터 접지 증폭기 회로의 특성 실험2025.05.111. 공통 이미터 증폭기 회로 공통 이미터 증폭기 회로의 입력 임피던스, 출력 임피던스, 전류 이득, 전압 이득, 위상반전 특성을 이해할 수 있다. 이미터 접지 증폭기에서 교류전원 쪽에서 바라다본 저항은 이미터 다이오드와 병렬로 연결된 바이어스 저항들이며, 베이스 쪽으로 들여다본 저항은 입력 임피던스로 표시된다. 증폭기의 출력 쪽에서 발생되는 현상을 알아보기 위해 테브닌 회로를 구성하여 테브닌 전압과 테브닌 임피던스를 구할 수 있다. 2. 저항비와 전압비 공통 이미터 증폭기에서 저항비와 전압비가 같은 이유는 옴의 법칙에 의해 이미터...2025.05.11
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응용물리회로실험 - Transistor CE + EF2025.05.071. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로의 입력 임피던스와 출력 임피던스를 측정한다. 공통 이미터와 이미터 폴로어로 이루어진 회로의 입력 출력 임피던스를 측정한다. 2. 입력 임피던스 및 출력 임피던스 측정 첫 번째 실험에서는 가 있는 경우와 없는 경우의 입력 임피던스를 측정했는데 각각 2117 Ω , 7812 Ω이 나왔다. 1. 공통 이미터 회로 공통 이미터 회로는 트랜지스터 증폭기 회로의 기본 구조 중 하나입니다. 이 회로는 입력 신호를 증폭하여 출력 신호를 생성하는 역할을 합니다. 공통 이미터 회로의 주요 특징은 높은 전압 이...2025.05.07
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트랜지스터 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 증폭작용 트랜지스터의 가장 핵심적인 기능은 전류 증폭기로서의 기능이다. 트랜지스터를 이용하여 적절한 회로를 구성하면 베이스 전류가 입력전류이고 컬렉터 전류를 출력 전류로 할 때 I_C = betaI_B(beta는 전류 증폭률)의 관계식이 성립한다. 트랜지스터 회로의 전류 증폭률을 계산함으로써 회로의 동작 특성을 확인할 수 있다. 2. 이미터 공통(common emitter)회로 이미터 공통 회로에서 I_B와 I_C는 각각 I_B' = (V_RB) / (V_B) = (V_BB - V_B) / (V_R)와 I_C = ...2025.01.03
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전자회로실험_A+레포트_BJT Common Emitter, Common Collector2025.01.131. NPN, PNP형 BJT 공통 이미터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 이미터 증폭기의 회로 구성과 동작을 확인하였다. NPN형 BJT 공통 이미터 증폭기에서 동작점 전류는 IBQ 0.05 μA, ICQ 18.60 mA이고, VBEQ 1.960 V, VCEQ 12.98 V로 측정되었다. 전압이득 α는 0.99로 1에 가까운 값이 나왔다. 공통 이미터 증폭기는 부하저항이 높기 때문에 전류 증폭보다는 전압 증폭으로 사용한다. 2. NPN, PNP형 BJT 공통 컬렉터 증폭기 NPN, PNP형 BJT를 사용한 공통 컬렉...2025.01.13
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트랜지스터를 이용한 회로 실험 결과 보고서2025.01.031. 트랜지스터의 동작 원리 이 실험에서는 트랜지스터의 기본적인 동작 원리와 3가지 동작 모드(선형 동작 영역, 포화 동작 영역, 차단 동작 영역)를 이해하고자 하였다. 트랜지스터의 증폭 특성을 확인하기 위해 이미터 공통 회로를 구성하고 전압, 전류 등을 측정하여 트랜지스터의 동작을 분석하였다. 또한 실제적인 이미터 공통 증폭기 회로를 구성하여 교류 신호에 대한 증폭 특성과 내부 저항을 계산하였다. 2. 트랜지스터 회로의 특성 곡선 및 부하선 실험 결과를 통해 트랜지스터 회로의 V_CE-I_C 특성 곡선과 부하선을 확인할 수 있었다...2025.01.03
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건국대학교 전기전자기초실험2 트랜지스터2 예비레포트 결과레포트2025.01.291. 트랜지스터 증폭 회로 종류 양극성 트랜지스터 증폭 회로는 고전압 신호와 전류를 증폭할 때 사용되며, 공통 증폭 회로는 이미터, 베이스, 컬렉터 중 하나가 공통으로 연결된다. 스위치 증폭 회로는 트랜지스터를 스위치로 사용하여 디지털 신호를 증폭한다. 2. 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로의 바이어스 방법 트랜지스터 공통 이미터 증폭기 회로에서는 베이스-이미터 접합에 양의 전압(VBE)을 가하고, 바이어스 전압을 조절하여 베이스 전류를 원하는 값으로 설정한다. 그 후 컬렉터 전압을 VBE보다 크게 설정하고, 저항을 이용하여 트랜...2025.01.29
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기초전자실험 - 19장 공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기를 설계, 구성하고 시험하였다. 직류 바이어스와 교류 증폭값을 계산하고 측정하였다. 설계 과정에서 트랜지스터 규격과 회로의 동작 조건을 상세히 정의하였다. 실제 회로를 구성하기 전에 컴퓨터를 이용한 설계를 수행하고 테스트하였다. 2N3904 트랜지스터를 사용하였으며, 회로는 VCC = 10V, Av = 100 (최소값), Zi = 1kΩ (최소값), Zo = 10kΩ (최대값), 교류 출력 전압 스윙 = 3Vp-p (최대값), 부하 저항 RL = 10kΩ (최소값)의 특성을 가져야 한...2025.04.30
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전기전자공학실험-공통 이미터 증폭기 설계2025.04.301. 공통 이미터 증폭기 설계 공통 이미터 증폭기 회로는 높은 전류이득을 가지며, 입력을 베이스로 인가하여 출력을 컬렉터에서 얻습니다. 출력저항 RL이 증가하면 증폭도가 증가하여 진폭도 증가합니다. 공통 이미터 증폭기 설계 시 트랜지스터의 정규 규격을 파악하고, VCC, 전압이득, 입력임피던스, 부하저항의 최소값과 출력임피던스, 교류출력전압스윙의 최대값을 정합니다. 또한 커플링/바이패스 커패시터 선정, VE 설정, Rc 값 계산, 전압 이득 확인, 입력 임피던스와 출력 임피던스 확인 등의 과정을 거칩니다. 2. 공통 이미터 증폭기 ...2025.04.30
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