1. 반도체 공정 기술 스퍼터링(Sputtering)은 물리적 기상 증착 공정으로 플라즈마 내의 고에너지 이온이 타겟 표면과 충돌하여 입자를 기판에 증착시킨다. 원자층 증착(ALD)은 자기 포화 화학흡착을 이용하여 원자 단위의 얇은 막을 증착하며, 포토리소그래피는 마스크를 통해 빛을 조사하여 웨이퍼에 회로 패턴을 형성하는 공정이다. 이 세 공정은 현대 반도체 제조의 핵심 기술이다. 2. MOS 캐패시터 특성 MOS 캐패시터는 금속-산화물-반도체 구조로 이루어지며, C-V 곡선을 통해 기판의 도핑 타입을 판별할 수 있다. 강반전 상태...

1. MOS 캐패시터 메모리 구조 이중 절연막 기반 금속 부유 노드 구조의 새로운 커패시터형 소자로, MOSFET 채널 기반의 기존 NAND/NOR 플래시와 달리 전도 채널 없이 커패시터 동작만으로 비휘발성 저장이 가능하다. 두께가 다른 이중 산화막(79nm 두꺼운 산화막, 45nm 얇은 산화막)과 부유 금속층을 이용하여 전하를 저장하며, 상부 게이트는 제어 전극, 하부 게이트는 기준 노드로 동작한다. 2. Fowler-Nordheim 터널링 동작 원리 제안된 HRC-MOS 메모리의 핵심 동작 메커니즘으로, 쓰기 시 G1에 +5V ...