1. MOS 캐패시터 단일 게이트 MOS 구조로 동작하는 메모리 소자입니다. 용량성 동작 원리를 기반으로 하며, 읽기/쓰기 속도는 나노초에서 마이크로초 범위이고, 전력 소비가 낮은 특징이 있습니다. 보유 시간은 마이크로초 수준으로 짧으며, 비휘발성이 아닙니다. 주로 아날로그 응용 분야에 사용됩니다. 2. DRAM 셀 1T-1C(1 트랜지스터-1 캐패시터) 구조로 구성된 메모리입니다. 전하 저장 및 리프레시 동작 원리를 사용하며, 읽기 속도는 약 10나노초, 쓰기 속도도 10나노초 수준입니다. 전력 소비는 중간 정도이고, 보유 시간은...