1. 3D NVRAM 구조 및 셀 설계 본 발명은 8개의 트랜지스터(8T)와 8개의 커패시터(8C)로 구성된 (8T/8C)/Cell 구조를 기반으로 한다. 각 커패시터는 개별 워드라인으로 선택되어 병렬 접근성과 다중비트 저장을 가능하게 한다. 이 구조는 기존 1T1C 또는 1T1R 기반 메모리의 속도, 누설, 공정 호환성 한계를 극복하며, 특히 고층 적층(256단) 공정에서 누설 전류 및 신뢰성 문제를 해결한다. 2. 트랩층 기반 전하 저장 메커니즘 Et=2.0 eV 깊이의 트랩층을 포함한 HfO₂/Al₂O₃ 복합 유전체 스택을 사...