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Zr고온 메모리: 딥트랩 비휘발성 커패시터 구조2025.12.201. 딥트랩 비휘발성 메모리 소자 금속-절연막-커패시터(MIM/MOSCAP) 기반 비휘발성 메모리 소자로, 고온 보유 특성이 우수하고 저전계 유지 모드에서 Poole-Frenkel 저감이 최소화되도록 설계된 딥 트랩 유전체 구조이다. 기존 shallow trap 및 percolation 문제를 해결하며, 150~250°C 영역에서도 장기 보유가 가능한 구조를 제공한다. 2. Zr-Y-Al-B-O 산화막 트랩층 질산화/ALD 기반으로 제조 가능한 Zr-Y-Al-B-O 산화막을 트랩층으로 사용하며, 희토(Y) 8 at% 치환 및 산소공...2025.12.20
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MOSCAP 기술기획 및 웨이퍼 분할 보고서2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 고보유·저전압 MOSCAP 구조는 Metal/SiO₂/Al₂O₃/HFzByOₓ/Al₂O₃/SiO₂/Si 스택으로 구성되며, 고유전율 Hf 기반 복합층에 F·B 소량 도핑으로 깊은 트랩(Et_eff≈2.8–2.9eV)을 형성한다. Al₂O₃ 듀얼 배리어층으로 누설을 억제하고 대칭 전계를 설계하여 저전압(±3.5–4.0V) 구동으로 DRAM급 속도를 확보한다. 2. 전기적 성능 특성 READ 속도는 15–35 ns의 DRAM급 성능을 달성하며, PROG/ERASE 시간은 0.3–0.8 µs/스텝이다. 85°...2025.12.20
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MOSCAP 4가지 구조 스펙 제안 및 공정 레시피2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 SiO₂–HfO₂–Al₂O₃–TaN 기반 MOSCAP의 4가지 구조(Turbo-RAM, Deep-Store, User MOSCAP, Et-Optimized Hybrid)를 비교 분석. User MOSCAP은 Al₂O₃ 1.0 nm, Et_eff 2.4 eV로 확정되었으며, 각 구조는 프로그램 시간과 보유 특성에서 차별화된 성능을 제시한다. Turbo-RAM은 20-30 ns의 빠른 속도, Deep-Store는 수 개월~수 년의 장기 보유를 목표로 한다. 2. ALD 공정 및 열처리 O₃-ALD를 이용한 ...2025.12.20
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Hf기반 VO 제어형 트랩층 MOSCAP 구조 설계안 비교2025.12.201. MOSCAP 구조 설계 Hf 기반 산소공공(VO) 제어형 트랩층을 적용한 MOSCAP 구조에서 총 4 nm 트랩층 두께와 상·하부 Al₂O₃(1 nm) 차단층을 기반으로 한 여섯 가지 스택 설계안(A~F안)을 비교한다. 각 안은 트랩층의 조성(Al at.%, VO%), 그레이딩 방향과 해상도(계단/연속), 차단층 유무에 따라 구분되며, 동일 총 트랩 두께, 터널 산화막(2.5 nm SiO₂), 기판(SiC)을 기본 가정으로 한다. 2. Program/Erase 특성 및 성능 각 설계안별 Program/Erase 속도, 요구 전...2025.12.20