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일반물리실험2 < 비저항 측정실험, 전기 회로 실험 > A+ 레포트2025.05.011. 비저항 측정실험 비저항은 지름을 알고 있는 철사의 저항값을 철사의 길이에 대한 함수로 나타내어 계산한다. 길이가 고정된 철사의 저항값은 철사의 단면적에 반비례함을 파악한다. 실험 결과 분석을 통해 비저항은 철사의 길이 및 단면적에 무관한 물리량이며, 물질에 따라 고유한 값을 가지는 물질의 특성임을 확인할 수 있었다. 2. 전기 회로 실험 휘트스톤 브리지의 구조 및 사용법을 익히고, 이를 활용해 미지 저항의 값을 측정한다. 실험 결과 분석을 통해 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항값을 정확하게 측정할 수 있음을 확인하였다. 1...2025.05.01
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경북대학교 기초전기전자실험 스트레인게이지 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 저항으로 이루어진 센서로서 피 측정물에 부착되어 피측정물의 물리적인 변형률(Strain)을 휘트스톤 브리지 방식으로 전기적인 신호로 바꾸어 측정물의 변형량을 측정하는 저항 센서입니다. 스트레인 게이지의 구조, 원리, 종류 및 연결 방식에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 게이지율 게이지율(Gauge Factor)은 스트레인 게이지의 감도를 나타내는 지표로, 단위 변형당 저항의 변화율을 의미합니다. 게이지율이 클수록 감도가 높습니다. 게이지율은 재료의 포아송 효과와 변형에 의한 비저항 변화량...2025.05.09
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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휘트스톤 브리지 결과 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 전자전기공학 분야에서 널리 사용되는 정밀 측정 회로입니다. 이 실험에서는 휘트스톤 브리지를 구성하여 미지의 저항값을 측정하고 계산하는 방법을 실습하였습니다. 실험 결과, 측정값과 이론값 사이에 약간의 오차가 있었지만 거의 근사한 것을 확인할 수 있었습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 조절 시 전압 미세 조정 실패, 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차 등이 고려되었습니다. 향후 실험 정확도를 높이기 위해서는 전압 조정 및 온도 유지 등의 개선이 필요할 것으로 보입니다. 1. 휘트스톤 브리지...2024.12.31
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스트레인게이지 실습 결과보고서 (아주대 기계공학기초실험 실험6)2025.04.261. 스트레인게이지 스트레인게이지는 변형률을 측정하는 소자이다. 물체가 인장 또는 압축을 받을 때 원래의 길이에 대한 늘어나거나 줄어든 길이를 비율로 표시한 값이 변형률이다. 스트레인게이지는 금속의 길이에 따른 전기저항 변화를 이용하여 변형률을 측정한다. 스트레인게이지의 감도는 Gauge Factor(GF)로 나타낼 수 있다. 스트레인게이지를 이용하여 캔 용기 내부 압력을 측정할 수 있다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인게이지의 저항 변화율이 매우 작기 때문에 별도의 측정회로가 필요하다. 이때 사용하는 회로가 휘트스톤 브리지이다. 휘...2025.04.26
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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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기초 전기전자 실험 결과보고서2025.01.121. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지를 통해 브리지의 원리를 이해하고 저항 측정법을 익혔습니다. 회로가 평형 상태일 때 a-b 단자 사이의 전류가 흐르지 않으며, 불평형 상태일 때 전류가 흐르는 것을 확인했습니다. 테브낭 등가회로를 이용해 a-b 사이의 전류를 계산하여 실험 결과와 일치함을 확인했습니다. 2. 오실로스코프 사용법 오실로스코프의 기본 구조와 동작 원리를 이해하고, 정현파와 구형파의 주기, 주파수, 진폭 등을 측정하는 방법을 익혔습니다. 또한 리사주 파형을 이용해 두 신호 간의 위상차를 계산하는 방법을 배웠습니다. 오실...2025.01.12
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기초전기실험 예비, 결과 레포트 2주차 ~ 7주차, 9주차 ~ 14주차2025.01.271. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 전류법칙과 전압법칙을 이해하고, 이를 실험적으로 증명한다. 실험 결과 분석을 통해 키르히호프의 법칙이 성립함을 확인하였다. 이론값과 측정값이 거의 일치하여 실험이 올바르게 진행되었음을 알 수 있었다. 2. 중첩의 원리 중첩의 원리를 이해하고 이를 실험적으로 증명한다. 실험 결과 분석을 통해 중첩의 원리가 성립함을 확인하였다. 단락된 전압원과 개방된 전류원을 이용하여 회로를 해석하는 방법을 익혔다. 3. 테브낭 정리 테브낭 정리를 이해하고 이의 응용능력을 키운다. 실험 결과 분석을 통해 테브낭 정리...2025.01.27
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충북대 일반물리학및실험2 A 키르히호프법칙2025.01.031. 키르히호프의 법칙 실험 6. 키르히호프의 법칙을 통해 실험값, 이론값, 오차율 등을 확인하였습니다. 실험 결과 측정값과 이론값 사이의 오차율이 허용 범위를 벗어났는데, 이는 멀티미터를 이용하여 가변저항의 저항값을 측정할 때 프로브 연결 위치에 따라 값이 달라지는 문제와 전원 공급장치의 오류로 인한 것으로 추정됩니다. 실험을 진행할 때는 가변저항의 프로브 연결 위치와 회로를 구성하는 부품들의 불량 여부를 주의깊게 확인해야 합니다. 1. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기 회로 이해에 있어 매우 중요한 기본 원리입니다. 이...2025.01.03
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