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일반물리실험2 < 비저항 측정실험, 전기 회로 실험 > A+ 레포트2025.05.011. 비저항 측정실험 비저항은 지름을 알고 있는 철사의 저항값을 철사의 길이에 대한 함수로 나타내어 계산한다. 길이가 고정된 철사의 저항값은 철사의 단면적에 반비례함을 파악한다. 실험 결과 분석을 통해 비저항은 철사의 길이 및 단면적에 무관한 물리량이며, 물질에 따라 고유한 값을 가지는 물질의 특성임을 확인할 수 있었다. 2. 전기 회로 실험 휘트스톤 브리지의 구조 및 사용법을 익히고, 이를 활용해 미지 저항의 값을 측정한다. 실험 결과 분석을 통해 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항값을 정확하게 측정할 수 있음을 확인하였다. 1...2025.05.01
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경북대학교 기초전기전자실험 스트레인게이지 실험보고서 [기계공학부]2025.05.091. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 저항으로 이루어진 센서로서 피 측정물에 부착되어 피측정물의 물리적인 변형률(Strain)을 휘트스톤 브리지 방식으로 전기적인 신호로 바꾸어 측정물의 변형량을 측정하는 저항 센서입니다. 스트레인 게이지의 구조, 원리, 종류 및 연결 방식에 대해 자세히 설명하고 있습니다. 2. 게이지율 게이지율(Gauge Factor)은 스트레인 게이지의 감도를 나타내는 지표로, 단위 변형당 저항의 변화율을 의미합니다. 게이지율이 클수록 감도가 높습니다. 게이지율은 재료의 포아송 효과와 변형에 의한 비저항 변화량...2025.05.09
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스트레인 게이지 실험 보고서 (A+)2025.01.241. 스트레인 게이지 스트레인 게이지는 힘이 가해지면 물체 표면에서 발생하는 길이 변화를 측정하고 이에 따른 전기 저항 변화를 통해 변형률과 응력을 측정하는 센서입니다. 스트레인 게이지는 Backing Material, Grid Material, Encapsulation Film으로 구성되어 있으며 저항 변화율이 변형률에 비례하는 원리로 작동합니다. 2. 휘트스톤 브리지 스트레인 게이지는 휘트스톤 브리지 방식을 사용하여 물리적 변형을 전기 신호로 변환합니다. 휘트스톤 브리지는 4개의 저항 암으로 구성되어 있으며, 2개의 병렬 전압 ...2025.01.24
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[A+보고서] Floyd 회로이론실험결과레포트_ 13 휘트스톤 브리지2025.05.131. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로에 대한 테브낭 등가회로를 구하고, 테브낭 회로가 원래 회로와 비교해볼 때 부하에 대해 같은 결과를 갖는다는 것을 실험을 통해 증명하였습니다. 또한 휘트스톤 브리지를 평형 시키고 평형브리지에 대한 테브낭 회로를 구하였습니다. 2. 테브낭 등가회로 불평형 휘트스톤 브리지에서 테브낭 저항값과 테브낭 전압을 계산하고 측정하여 오차율을 확인하였습니다. 평형 휘트스톤 브리지에서는 미지의 저항값을 찾고 테브낭 등가회로를 구하였습니다. 1. 휘트스톤 브리지 회로 휘트스톤 브리지 회로는 저항 측정을 ...2025.05.13
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휘트스톤 브리지 결과 보고서2024.12.311. 휘트스톤 브리지 휘트스톤 브리지는 전자전기공학 분야에서 널리 사용되는 정밀 측정 회로입니다. 이 실험에서는 휘트스톤 브리지를 구성하여 미지의 저항값을 측정하고 계산하는 방법을 실습하였습니다. 실험 결과, 측정값과 이론값 사이에 약간의 오차가 있었지만 거의 근사한 것을 확인할 수 있었습니다. 오차의 원인으로는 가변저항 조절 시 전압 미세 조정 실패, 주변 온도 변화, 저항 자체의 내부 오차 등이 고려되었습니다. 향후 실험 정확도를 높이기 위해서는 전압 조정 및 온도 유지 등의 개선이 필요할 것으로 보입니다. 1. 휘트스톤 브리지...2024.12.31
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일반물리학및실험2 휘트스톤 브리지 결과레포트2025.01.201. 휘트스톤 브리지 본 실험에서는 휘트스톤 브리지의 구조와 사용법을 익히고, 미지 저항체의 전기 저항을 측정하였습니다. 실험 결과, 고정 저항을 100Ω으로 하여 실험을 진행하였고, 다른 저항값을 1000Ω과 2000Ω으로 실험을 진행하였습니다. 오차 분석 결과, 회로 자체의 저항이 작지 않아 오차가 발생하였고, 높은 저항값으로 인해 전류가 약해져 약간의 오차가 발생하였습니다. 전류 밀도와 비저항의 단위는 각각 A/m^2와 Ω·m로 나타낼 수 있습니다. 2. 전기 저항 측정 본 실험에서는 휘트스톤 브리지를 이용하여 미지 저항체의 ...2025.01.20
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충북대 일반물리학및실험2 A 키르히호프법칙2025.01.031. 키르히호프의 법칙 실험 6. 키르히호프의 법칙을 통해 실험값, 이론값, 오차율 등을 확인하였습니다. 실험 결과 측정값과 이론값 사이의 오차율이 허용 범위를 벗어났는데, 이는 멀티미터를 이용하여 가변저항의 저항값을 측정할 때 프로브 연결 위치에 따라 값이 달라지는 문제와 전원 공급장치의 오류로 인한 것으로 추정됩니다. 실험을 진행할 때는 가변저항의 프로브 연결 위치와 회로를 구성하는 부품들의 불량 여부를 주의깊게 확인해야 합니다. 1. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 전기 회로 이해에 있어 매우 중요한 기본 원리입니다. 이...2025.01.03
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[고려대학교 전기회로] 3~4단원 정리본2025.05.031. 직렬 연결 회로 직렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전류를 흐르게 한다. 직렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 저항값을 합한 것과 같다. 2. 병렬 연결 회로 병렬 연결 회로에서 모든 회로 요소들은 동일한 전압이 걸린다. 병렬 저항기들의 등가 저항은 각 저항기의 역수를 합한 것의 역수와 같다. 3. 전압 분배와 전류 분배 전압 분배 공식: Ui = (Ri/Req)U, 전류 분배 공식: Ii = (Req/Ri)I 4. 전압계와 전류계 측정 전압계는 측정하고자 하는 전압 요소와 병렬로 연결되고, 전류계는 측정하고자 ...2025.05.03
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홍익대_대학물리실험2_휘트스톤브릿지_보고서A+2025.01.151. 옴의 법칙 전류의 세기(I)는 전압(V)에 비례하고, 저항(R)에 반비례한다. 이를 수식으로 표현하면 I = V/R이고 이를 변형하면 V = IR, R = V/I이다. 저항이 일정하면 이와 같은 관계 그래프가 성립한다. 2. 키르히호프의 법칙 키르히호프의 법칙은 회로에 흐르는 전류와 고리에 걸리는 전압에 대해 서술한 법칙이다. 제 1법칙(분기점 법칙)은 어느 회로에 있어서 분기점에 들어오는 전류는 나가는 전류와 같다. 제 2법칙(고리 법칙)은 닫힌 회로에서 각 소자를 지나갈 때 전위차의 합은 0이 된다. 3. 휘트스톤 브리지 ...2025.01.15
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일반물리학및실험 5. 키르히호프 법칙 결과 보고서2025.01.161. 멀티미터를 이용한 저항 측정 멀티미터로 저항을 측정할 때, 저항체를 회로에 연결한 상태에서 저항값을 측정하면 올바른 값을 측정하지 못하는 경우가 많다. 그 이유는 도선의 저항에 의해 저항값이 달라지기 때문이다. 따라서 회로에서 저항을 분리하여 측정해야 한다. 도선이 구리로 되어있는 경우 구리 자체에 저항이 존재하기 때문에 실제 구하고자 하는 저항의 정확한 값을 구할 수 없다. 만약 도선이 백금으로 만들어져 있다면 저항이 구리보다 작기 때문에 오차가 많이 생기지 않아 무시해도 될 것이다. 2. 키르히호프 법칙 확인 예제문제를 통...2025.01.16
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