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USB 조사2025.01.241. USB(Universal Serial Bus) USB(Universal Serial Bus)는 컴퓨터와 주변기기 사이에 데이터를 주고받을 때 사용하는 버스 규격 중 하나입니다. 1990년대 후반부터 대부분의 개인용 컴퓨터에 USB 장치를 꽂을 수 있게 되면서 현재 다른 규격 버스에 비해 보급률이 매우 높습니다. USB는 컴퓨터 전원이 켜진 상태에서도 자유롭게 장치를 꽂고 뺄 수 있어 편의성이 높다는 장점이 있습니다. 2. 플래시 메모리 플래시 메모리는 데이터를 저장, 보관할 수 있는 반도체의 일종입니다. 데이터를 자유롭게 저장...2025.01.24
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Memory 세미나 내용, RAM ROM Flash NOR NAND2025.04.261. Memory의 종류 메모리에는 RAM, ROM, 자기 표면 기억장치, 반도체 기억장치 등 다양한 종류가 있다. RAM은 전원이 유지되는 동안만 사용 가능한 휘발성 메모리로 CPU의 연산이나 응용프로그램 로딩, 데이터 일시 저장 등에 이용된다. ROM은 전원 차단 이후에도 데이터가 유지되는 비휘발성 메모리로 BIOS, OS, 펌웨어 저장에 사용된다. 2. 반도체 기억장치의 구조와 동작 반도체 기억장치는 실제 정보가 저장되는 메모리 셀과 주소, 데이터, 제어 신호를 처리하는 주변 회로로 구성된다. 데이터 쓰기 시 주소 레지스터에서...2025.04.26
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반도체 공정 기술 및 메모리 소자 종합 분석2025.11.181. 반도체 전공정(FEP) 기술 반도체 공정의 전공정은 트랜지스터, DRAM, 플래시 메모리 등 다양한 소자 제조에 필수적이다. 웨이퍼 기판, 표면 준비, 박막 형성, 플라즈마 식각 등의 기술이 포함되며, 무어의 법칙에 따른 소자 축소로 인해 새로운 재료와 공정 기술의 도입이 필요하다. 특히 고-k 유전체와 금속 게이트 도입, SOI 웨이퍼 활용, 응력 제어 등이 주요 기술 과제이다. 2. 플래시 메모리 기술 플래시 메모리는 비휘발성 메모리로 NAND형과 NOR형으로 구분된다. NAND형은 직렬 연결으로 고집적도와 빠른 쓰기/지우...2025.11.18
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MOS 캐패시터 메모리의 초저전력 비휘발성 동작 구조2025.12.201. MOS 캐패시터 메모리 구조 이중 절연막 기반 금속 부유 노드 구조의 새로운 커패시터형 소자로, MOSFET 채널 기반의 기존 NAND/NOR 플래시와 달리 전도 채널 없이 커패시터 동작만으로 비휘발성 저장이 가능하다. 두께가 다른 이중 산화막(79nm 두꺼운 산화막, 45nm 얇은 산화막)과 부유 금속층을 이용하여 전하를 저장하며, 상부 게이트는 제어 전극, 하부 게이트는 기준 노드로 동작한다. 2. Fowler-Nordheim 터널링 동작 원리 제안된 HRC-MOS 메모리의 핵심 동작 메커니즘으로, 쓰기 시 G1에 +5V ...2025.12.20
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반도체 메모리 구조 및 성능 비교 연구2025.12.201. MOS 캐패시터 단일 게이트 MOS 구조로 동작하는 메모리 소자입니다. 용량성 동작 원리를 기반으로 하며, 읽기/쓰기 속도는 나노초에서 마이크로초 범위이고, 전력 소비가 낮은 특징이 있습니다. 보유 시간은 마이크로초 수준으로 짧으며, 비휘발성이 아닙니다. 주로 아날로그 응용 분야에 사용됩니다. 2. DRAM 셀 1T-1C(1 트랜지스터-1 캐패시터) 구조로 구성된 메모리입니다. 전하 저장 및 리프레시 동작 원리를 사용하며, 읽기 속도는 약 10나노초, 쓰기 속도도 10나노초 수준입니다. 전력 소비는 중간 정도이고, 보유 시간은...2025.12.20
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NFGM의 효과 및 양자 구속 효과2025.12.211. NFGM(Nanocrystal Floating Gate Memory) NFGM은 기존 플래시 메모리의 폴리실리콘 플로팅 게이트를 나노사이즈(5~20nm) 실리콘, 금속, 화합물반도체 나노점으로 대체한 비휘발성 메모리 소자입니다. 쓰기/지우기 전압을 3~4V로 낮추고, 터널링 산화막 두께를 6nm 이하로 감소시켜 10nsec의 쓰기/지우기 시간, 10년 이상의 보존시간, 1×10⁶ 이상의 쓰기/지우기 사이클을 달성할 수 있습니다. 나노점의 크기와 밀도를 제어하여 전하 저장소를 효과적으로 관리할 수 있는 장점이 있습니다. 2. 양...2025.12.21