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전자회로(개정4판) - 생능출판, 김동식 지음 / 8장 연습문제 풀이2025.01.021. 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득 공통소스 JFET 증폭기의 전압이득을 계산하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압에 비해 위상이 반전된다. 2. 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득 공통 드레인 JFET 증폭기의 전압이득을 구하기 위해 교류소스저항 rs를 계산하고, 이를 이용하여 출력전압을 구한다. 출력전압은 입력전압과 동상이다. 3. 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득 공통소스 MOSFET 교류증폭기의 전압이득을 구하기 위해 먼저 트랜스컨덕턴스 gm을 ...2025.01.02
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전자회로설계실습 4차 결과보고서2025.05.101. MOSFET 소자 특성 측정 이 보고서는 전자회로설계실습의 4차 실험 결과를 다루고 있습니다. 주요 내용은 MOSFET 소자의 특성을 측정하고 분석하는 것입니다. 실험에서는 MOSFET 회로를 제작하고 전압과 전류를 측정하여 iD-vGS 및 iD-vDS 특성곡선을 구하였습니다. 측정 결과를 통해 MOSFET의 문턱전압, 트랜스컨덕턴스, 출력저항 등의 특성을 확인하였습니다. 실험 과정에서 측정 장비의 문제로 인한 오차가 발생하였지만, 전반적인 MOSFET 특성을 이해할 수 있었습니다. 1. MOSFET 소자 특성 측정 MOSFE...2025.05.10
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MOSFET 소자 특성 측정 실습 결과 보고서2025.01.041. MOSFET 회로 제작 및 측정 실험에서 MOSFET 회로를 제작하고 게이트 전압(VG)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하였다. 이를 통해 MOSFET의 ID-VGS 특성 곡선을 구할 수 있었다. 또한 문헌에서 확인한 MOSFET의 문턱 전압(VT)과 실험 결과를 비교하여 일치함을 확인하였다. 2. MOSFET 특성 곡선 측정 실험에서 드레인 전압(VD)을 변화시키며 드레인 전류(ID)를 측정하여 MOSFET의 ID-VDS 특성 곡선을 구하였다. 이를 통해 MOSFET이 Triode 영역에서 Saturation 영역으로...2025.01.04
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[전자공학응용실험]3주차_2차실험_공통 소오스 증폭기_결과레포트_A+2025.01.291. 공통 소오스 증폭기 이번 실험을 통하여 공통 소오스 증폭기의 VTC와 소신호 등가회로 및 파라미터들을 알아보았으며 전압이득이 위상이 반대로 나와 (-) 부호가 붙게 된다는 것을 실험으로 알게 되었다. 실험회로 1에서 입력 전압(VGG)에 따른 출력 전압(VO)의 변화를 측정하여 공통 소오스 증폭기의 동작 영역을 확인하였고, 소신호 파라미터인 전압이득(AV), 트랜스컨덕턴스(gm), 출력 저항(ro) 등을 계산하였다. 실험회로 2에서는 입력-출력 전압 파형을 관찰하여 전압이득을 측정하였다. 실험 과정에서 전압 강하 문제로 인해 ...2025.01.29
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실험 14_캐스코드 증폭기 예비 보고서2025.04.271. 캐스코드 증폭기 이 실험에서는 MOSFET을 이용한 캐스코드 증폭기의 동작 원리를 공부하고, 실험을 통하여 특성을 측정하고자 한다. 캐스코드 증폭기는 공통 소오스 증폭기보다 높은 전압 이득을 얻을 수 있어서 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 캐스코드 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가 회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구한 후, 이를 실험에서 확인하고자 한다. 또한 증폭기의 DC 동작점을 잡아주기 위한 바이어스 회로에 대해서도 공부하고, 실험을 통하여 동작을 확인한다. 1. 캐스코드 증폭기 캐스코드 증폭기...2025.04.27
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실험 06_공통 이미터 증폭기 결과 보고서2025.04.281. 공통 이미터 증폭기 이 실험에서는 BJT를 이용한 공통 이미터 증폭기 회로를 구성하고, 실험을 통해 그 동작을 확인하였다. 공통 이미터 증폭기는 베이스가 입력 단자, 컬렉터가 출력 단자, 이미터가 공통 단자인 증폭기이고, 높은 전압 이득을 얻을 수 있다는 장점이 있어 널리 사용되고 있다. 이 실험에서는 공통 이미터 증폭기의 입력-출력 특성 곡선을 구하고, 소신호 등가회로의 개념을 적용하여 전압 이득을 구하고, 이를 실험에서 확인하고자 하였다. 2. BJT 증폭기 BJT 증폭기의 전압 이득을 증가시키기 위해서는 컬렉터 전류를 키...2025.04.28
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공통 소오스 증폭기의 특성 분석2025.01.021. MOSFET 소신호 등가회로 MOSFET의 소신호 등가회로는 트랜지스터의 내부 동작 특성을 전류원, 저항 등으로 모델화한 것입니다. 하이브리드 모델과 T모델이 대표적이며, 이를 통해 MOSFET의 트랜스컨덕턴스와 출력 저항 등의 특성을 분석할 수 있습니다. 2. 공통 소오스 증폭기의 특성 공통 소오스 증폭기는 MOSFET을 이용한 선형 증폭기 회로입니다. MOSFET이 포화 영역에서 동작할 때 입력 전압과 드레인 전류 사이에 제곱의 법칙이 성립하므로 비선형적인 특성을 보입니다. 이를 선형화하기 위해 DC 바이어스 전압과 소신호...2025.01.02