1. 홀 효과 홀 효과(Hall Effect)는 도체가 자기장 속에 놓여있을 때 그 자기장에 직각 방향으로 전류가 흐르면, 자기장과 전류 모두에 수직인 방향으로 전위차(홀 전압)가 발생하는 현상입니다. 1879년 에드윈 허버트 홀(1855-1938)에 의해 발견되었으며, 홀 전압의 크기는 전하 밀도에 의존하기 때문에 반도체에서의 전압이 순수한 금속 도체에서보다 더 큽니다. 오늘날 전자 공학에서 홀 효과는 자기장의 세기와 방향을 측정하는 데에 이용됩니다. 2. 실험 원리 이 실험에서는 n-도핑 게르마늄 반도체를 사용하여 홀 효과를 조...

1. Hall effect Hall effect 실험을 통해 N-type과 P-type 반도체의 홀 전압을 측정하여 Hall mobility, Carrier concentration, Hall coefficient를 구하고 두 반도체의 차이점을 이해하고자 한다. Hall effect는 자기장에 놓인 고체에 자기장의 방향과 수직인 전류가 흐를 때 고체 내부에 전기장이 형성되는 현상이다. 이를 통해 전자 이동도, 자기장, 전하 운반자 밀도 등을 측정할 수 있다. 2. 로런츠 힘 전자기장 안에서 전하를 띤 입자가 받는 힘을 로런츠 힘이라...

1. 홀 효과 홀 효과 측정 실험을 통해 금속이나 반도체와 같이 전도성이 있는 소재의 전기적 물성을 측정할 수 있다. 홀 효과의 원리는 자기장과 전류의 상호작용으로, 자기장 내에서 전류가 흐르면 로런츠 힘에 의해 전하 운반자가 특정 방향으로 쏠려 전위차가 발생하게 된다. 이를 통해 전하 운반자의 종류, 전하 밀도, 이동도 등을 구할 수 있다. 2. p-type 반도체 실험 결과 해당 시편은 정공이 주요 운반자인 p-type 반도체로 확인되었다. p-type 반도체는 n-type 반도체와 PN 접합을 형성하며, 태양 전지 등 광 전극...