1. DRWM(Dynamic Read-Write Memory) 구조 HRC-MOS 기반의 이중 절연막 부유 금속 커패시터 구조로 설계된 유사 비휘발성 메모리. 두꺼운 산화막은 쓰기 시 절연 역할을 하고 얇은 산화막은 읽기 접근을 제공한다. 저전압 Fowler-Nordheim 터널링을 통해 전하 주입 및 방출이 가능하며, DRAM과 Flash 메모리의 중간 영역을 연결하는 새로운 메모리 클래스를 제공한다. 2. DRWM 동작 원리 쓰기 동작은 ±5V 펄스로 얇은 산화막을 통한 터널링을 유도하여 부유 금속층에 전하를 주입한다. 읽기 동...