1. MOS 캐패시터 메모리 구조 이중 절연막 기반 금속 부유 노드 구조의 새로운 커패시터형 소자로, MOSFET 채널 기반의 기존 NAND/NOR 플래시와 달리 전도 채널 없이 커패시터 동작만으로 비휘발성 저장이 가능하다. 두께가 다른 이중 산화막(79nm 두꺼운 산화막, 45nm 얇은 산화막)과 부유 금속층을 이용하여 전하를 저장하며, 상부 게이트는 제어 전극, 하부 게이트는 기준 노드로 동작한다. 2. Fowler-Nordheim 터널링 동작 원리 제안된 HRC-MOS 메모리의 핵심 동작 메커니즘으로, 쓰기 시 G1에 +5V ...