1. 역포화전류(Reverse Saturation Current) 제어 역포화전류 I0는 pn 접합 주변에서의 전자-정공 생성(EHP)에 의해 결정되며, 매우 작은 값을 가진다. I0를 증가시키기 위해서는 밴드갭보다 큰 에너지의 빛을 주입하거나 소수캐리어를 주입시킬 수 있다. 이는 바이어스와 무관하게 EHP 발생률이 증가하면 I0가 증가한다는 원리에 기반한다. 2. 컬렉터 전류(IC) 제어 메커니즘 P-n-p 트랜지스터에서 VEB를 순방향, VCB를 역방향으로 인가하면 에미터에서 베이스로, 베이스에서 컬렉터로 정공이 주입되어 전류가...

1. 트랜지스터 트랜지스터는 재료에 따라 게르마늄(Ge)과 실리콘(Si) 트랜지스터로 나눌 수 있으며, 대부분의 경우 실리콘 트랜지스터를 사용한다. 트랜지스터는 작고 가벼워서 장치의 소형화가 가능하고, 낮은 전압에서도 동작하며 전력소모가 적다는 장점이 있다. 하지만 열에 의한 민감도가 높다는 단점이 있다. 2. 쌍극접합 트랜지스터 쌍극접합 트랜지스터는 2개의 넓은 P형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 N형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 PNP형 트랜지스터와 2개의 넓은 N형 실리콘 판 사이에 아주 얇은 P형의 실리콘을 끼워 넣어 만든 NP...