1. Gate via Patterning IGZO TFT 제작의 첫 번째 단계로, 게이트 전극으로 사용할 Si를 측정에서 접촉할 수 있도록 만드는 공정입니다. 웨이퍼 세척 후 포토리소그래피를 통해 원하는 패턴을 형성합니다. 기판의 유기물과 불순물을 제거하고, 산소플라즈마로 표면 반응성을 향상시킨 후, 포지티브 포토레지스트를 코팅하고 마스크를 이용한 노광 공정을 거칩니다. 2. Wafer Cleaning 반도체 기판 표면의 유기물, 불순물, 금속이온 등을 제거하는 전처리 공정입니다. 아세톤과 이소프로필알코올을 이용한 초음파 세척으로 ...

1. 열산화(Thermal Oxidation) 열산화는 웨이퍼 표면에 산화층을 형성하는 공정으로, 마스킹, 소자 격리, 게이트 산화막 형성, 표면 패시베이션 등의 목적으로 사용됩니다. 습식 산화는 두꺼운 산화층 형성에 사용되고, 건식 산화는 높은 밀도의 산화층 형성에 사용됩니다. 2. 확산(Diffusion) 확산은 실리콘에 불순물을 도입하는 방법으로, 도펀트 원자가 열 공정을 통해 실리콘으로 이동합니다. 치환 확산과 간질 확산 두 가지 메커니즘이 있으며, 이 기술을 통해 PN 접합을 형성할 수 있습니다. 3. 이온 주입(Ion I...