디지털집적회로설계 실습 4주차 보고서
2025.11.14
1. CMOS Inverter 설계 및 시뮬레이션
FULL-Static CMOS Inverter는 PMOS(M0)와 NMOS(M1) 트랜지스터로 구성된 기본 논리 게이트이다. 0.06마이크로미터 스케일로 설정하고 25도 온도에서 시뮬레이션을 수행했다. 입력신호는 3.3V 펄스로 초기값 0V, 최대값 3.3V, 펄스 폭 50ns, 주기 100ns의 파라미터를 가진다. 시뮬레이션 결과 Vin과 Vout의 펄스가 반전되어 출력되며, 최대 전압이 3.3V로 올바르게 작동함을 확인했다.
2. CMOS NAND Gate 설계 및 검증
NAND...
2025.11.14