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중앙대학교 A+ 클리퍼, 클램퍼 결과 보고서2025.01.291. 직렬 클리퍼 직렬 클리퍼는 다이오드가 저항과 직렬로 연결된 형태이고, 다이오드의 순 바이어스 구간이 출력으로 나타난다. 바이어스 될 경우 (-)바이어스는 입력전압이 바이어스 전압만큼 감소되어 출력되고, (+) 바이어스는 바이어스 전압만큼 증가하여 출력된다. 2. 병렬 클리퍼 병렬 클리퍼는 저항과 병렬로 연결된 형태이고, 다이오드의 역 바이어스 구간이 출력으로 나타난다. 입력전압의 양의 peak 값을 Vm이라고 할 때 출력전압의 음의 peak값은 -Vm이다. 3. 클램퍼 클램퍼는 입력되는 파형의 형태는 변화시키지 않고 입력 파형...2025.01.29
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10