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중앙대학교 A+ 클리퍼, 클램퍼 결과 보고서2025.01.291. 직렬 클리퍼 직렬 클리퍼는 다이오드가 저항과 직렬로 연결된 형태이고, 다이오드의 순 바이어스 구간이 출력으로 나타난다. 바이어스 될 경우 (-)바이어스는 입력전압이 바이어스 전압만큼 감소되어 출력되고, (+) 바이어스는 바이어스 전압만큼 증가하여 출력된다. 2. 병렬 클리퍼 병렬 클리퍼는 저항과 병렬로 연결된 형태이고, 다이오드의 역 바이어스 구간이 출력으로 나타난다. 입력전압의 양의 peak 값을 Vm이라고 할 때 출력전압의 음의 peak값은 -Vm이다. 3. 클램퍼 클램퍼는 입력되는 파형의 형태는 변화시키지 않고 입력 파형...2025.01.29
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다이오드 기본특성 실험 결과보고서2025.11.161. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 P형과 N형 반도체를 접합한 PN 다이오드에서 순방향 바이어스는 Anode에 양극, Cathode에 음극을 연결하는 상태입니다. 실리콘 다이오드의 장벽전위는 0.7V에서 형성되며, 이 전압을 넘으면 Anode에서 Cathode 방향으로 전류가 흐릅니다. 실험 결과 0.6V~0.7V 부근에서 전류가 선형적으로 증가하기 시작하였으며, 이는 이론적 내용 및 모의실험과 일치합니다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스와 누설전류 역방향 바이어스는 Anode에 음극, Cathode에 양극을 연결...2025.11.16
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전자및에너지재료공학 기말 보고서2025.05.101. High-K 절연체 High-K 물질은 유전율이 높은 물질로, 소자 미세화에 따른 누설 전류 문제를 해결하기 위해 사용됩니다. High-K 물질은 산화막의 물리적 두께를 충분히 확보하면서도 높은 유전율을 가져 누설 전류를 감소시킬 수 있습니다. 대표적인 High-K 물질로는 하프늄 다이옥사이드(HfO2)와 지르코늄 다이옥사이드(ZrO2)가 있으며, DRAM 커패시터 유전막으로 ZAZ(ZrO2/Al2O3/ZrO2) 구조가 사용되고 있습니다. 2. High-K 물질의 특성 High-K 물질은 유전율이 높고 열적으로 안정적이어야 하...2025.05.10
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A+맞은_전기전자기초실험2_일반실험2_결과보고서_다이오드특성실험(누설전류,turn-off과도응답,trr측정)2025.05.101. 실리콘 다이오드의 순방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 V-I 특성곡선을 통해 장벽전위와 항복전압을 확인하였다. 측정값에서 0.1V단위로 전류증가량을 계산했을 때 0.7V에서 0.8V로 넘어갈 때부터 전류증가량이 선형으로 증가함을 확인했다. 0.01V단위로 측정해본결과 약 0.66V가 좀 더 정확한 장벽전위임을 확인했다. 오차의 원인으로는 전류계의 내부저항, 온도 차이 등이 있었다. 2. 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 특성 실리콘 다이오드의 역방향 바이어스 인가 시 누설전류를 측정하였다. PSpice를 이용한 모의실험 결...2025.05.10
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고압 및 특고압 전로의 절연내력시험2025.12.191. 절연내력시험의 개념 및 목적 절연내력시험은 전기설비가 운용되는 동안 요구되는 전압 조건에서 절연물이 파괴되지 않고 안정적으로 동작할 수 있는지를 확인하는 시험이다. 지정된 전압을 일정 시간 동안 가하여 절연계에서 누설전류나 절연파괴 현상 발생 여부를 살펴본다. 시험 전압은 운용 전압보다 높게 설정되며, 국제 표준 규격이나 지역 기술 지침에 따라 결정된다. 이 시험을 통해 설비의 절연 약점을 밝혀내고 예상치 못한 절연 파괴를 미리 방지할 수 있다. 2. 시험 방법 및 절차 절연내력시험은 시험 목적 파악, 장비 준비, 전압 설정,...2025.12.19