1. Ion implantation Ion implantation은 반도체에 도펀트 이온을 고운동에너지로 주입하여 농도와 전도성 타입을 변화시키는 공정입니다. 이는 화학적 확산보다 우수하며, 표면 영역의 선택적 도핑이 가능합니다. 이온 주입 시 이온의 경로는 직선이 아니며, 핵과 전자와의 충돌로 인해 일정 거리 R에서 정지하게 됩니다. 이온의 투과 깊이는 RP로 표현되며, 통계적 변동은 △RP와 △R⊥로 나타납니다. 이온 주입으로 인한 격자 손상은 이온의 에너지, dose, 질량 등에 따라 달라지며, 열처리를 통해 결함을 제거하고 ...