본문내용
1. 증가형 MOSFET의 바이어스 회로
1.1. N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로
N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 저항 R1과 R2로 전원전압 VDD를 분배하여 게이트 바이어스 전압 VG를 생성한다. 이 회로에서 드레인 전류 ID는 드레인-소스 전압 VDS에 의해 결정되며, 게이트-소스 전압 VGS가 일정하게 유지된다. 드레인 전류 ID는 MOSFET의 특성에 따라 VDS에 비례하다가 일정 전압 이상에서 포화되는 특성을 보인다.
전압분배 바이어스 회로에서 드레인 저항 RD가 동작점에 미치는 영향을 살펴보면 다음과 같다. RD가 감소하면 드레인 전류 ID가 증가하고, 드레인-소스 전압 VDS가 감소한다. 이에 따라 동작점이 높은 전류 영역으로 이동하게 된다. 반대로 RD가 증가하면 ID가 감소하고 VDS가 증가하여 동작점이 낮은 전류 영역으로 이동한다. 따라서 RD 값을 조절하여 MOSFET의 동작점을 원하는 영역으로 설정할 수 있다.
이러한 N-채널 MOSFET의 전압분배 바이어스 회로는 간단한 구조로 구현할 수 있고, 안정적인 바이어스 전압을 제공할 수 있어 증폭기, 스위칭 회로 등 다양한 전자 회로에 널리 활용된다. 게이트 바이어스 전압을 적절히 설정하면 MOSFET을 포화 영역에서 동작시켜 선형적인 증폭 특성을 얻을 수 있다.
1.2. N-채널 MOSFET의 자기 바이어스 회로
N-채널 MOSFET의 자기 바이어스 회로는 전압분배 바이어스 회로에 소스 저...
