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1. 전자회로실험 PN 접합 다이오드
1.1. 실험 주제 및 기초 이론
전자회로실험 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성 이해
PN 접합 다이오드에 인가된 전압 VD와 다이오드에 흐르는 전류 ID의 관계는 ID = IS (e ^{V / LSUB {D}V _{T}} -1)이다. VD》VT이면, 다이오드 전류 ID는 I _{D} SIMEQI _{S} `e ^{V _{D} /V _{T}}으로 근사화될 수 있다. PN 접합 다이오드의 바이어스 전압에 따른 동작영역과 전류-전압 특성은 다음과 같다. V _{gamma}는 다이오드 전류가 흐르기 시작하는 순방향 임계전압이며, 실리콘 PN 접합 다이오드의 경우 V _{gamma}?0.6~0.7 [V] 범위의 값을 갖는다. 일정 임계치를 초과하는 역방향 전압이 인가되면, 항복영역으로 들어가며 매우 큰 역방향 전류가 흐르게 된다.
PSPICE 시뮬레이션 결과를 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 확인할 수 있다. VD=0~700[mV] 범위에서 다이오드 전류 ID는 0~11.796[mA] 구간에서 지수함수 형태로 증가하는 것을 알 수 있다.
실험에서는 DC 전원공급 장치, 멀티미터 및 PN 접합 다이오드(1N4004), 저항(1kΩ)을 사용하여 회로를 구성하고, DC 전압을 단계적으로 증가시키면서 다이오드 양단의 전압 VD와 저항 양단의 전압 VR1을 측정할 수 있다. 이를 통해 다이오드 전류 ID=VR1/R1를 계산하여 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 실험적으로 확인할 수 있다.
1.2. PSPICE 시뮬레이션
PSPICE 시뮬레이션을 통해 PN 접합 다이오드의 전류-전압 특성을 분석할 수 있다. PSPICE 시뮬레이션 결과에 따르면, 다이오드의 동작 영역에 따른 전류-전압 특성은 다음과 같다.
역방향 바이어스 영역에서는 전압이 증가함에 따라 전류가 점진적으로 증가하다가 일정 임계치를 넘어서면 매우 큰 역방향 전류가 흐르는 항복 영역으로 진입한다. 반면 순방향 바이어스 영역에서는 ...