소개글
"Cu 분석"에 대한 내용입니다.
목차
1. ICP를 이용한 포도 중금속 분석
1.1. 실험 개요
1.2. ICP의 원리
1.3. 실험 방법
1.4. 분석 결과
1.5. 결론
2. Cu와 Sn 합금 제조 및 분석
2.1. 실험 목적
2.2. 분말 야금 공정
2.3. 조직 관찰 및 분석
2.4. 경도 측정
2.5. XRD 분석
3. Cu 박막의 전기적 특성 분석
3.1. 실험 목적
3.2. 스퍼터링 증착 기술
3.3. 열처리에 따른 비저항 변화
3.4. 결정립 크기와 비저항의 관계
4. 참고 문헌
본문내용
1. ICP를 이용한 포도 중금속 분석
1.1. 실험 개요
포도 속 중금속 분석을 위한 ICP 실험의 개요는 다음과 같다. 이 실험에서는 ICP를 이용하여 포도 속에 포함된 납(Pb), 카드뮴(Cd), 비소(As), 구리(Cu), 아연(Zn) 등의 중금속 함량을 분석하고자 하였다. 식약처의 농산물 중 과일류의 납 기준은 0.1 mg/kg 이하, 카드뮴 기준은 0.05 mg/kg 이하이므로, 포도 시료를 ICP로 분석하여 이 기준을 만족하는지 확인하는 것이 본 실험의 목적이다. 실험에는 질산, 정제수, 포도 시료, 그리고 다양한 분석 기기와 도구들이 사용되었다.
1.2. ICP의 원리
플라즈마란 고도로 이온화된 대단히 뜨거운 전기적으로 중성인 기체로, 원자, 이온, 분자, 전자들이 집합되어 있다. 플라즈마는 온도가 10,000K 정도에 이르며 안정하고 불활성이다. 플라즈마는 석영관이 상단에 위치하고 그 주위를 2~3회 감싸고 있는 유도 코일에 의해 생성된다. 유도 코일에 라디오 주파수의 전류가 흐르면 코일의 바깥 부분이 뜨거워지며 자장과 전장이 유도된다. 이렇게 유도된 전장은 석영관 바깥을 통과하는 냉각 기체가 테슬라 코일의 순간적 방전에 의해 생성된 아르곤이온과 전자에 지속적인 에너지를 공급하게 되며, 이때 이온과 전자들이 플라즈마 전체에 확산되어 플라즈마가 유지되게 된다. 즉, ICP는 유도 코일에 의해 유도된 전장과 자장이 결합된 플라즈마라고 볼 수 있다. 플라즈마는 두 석영관 사이로 아르곤 가스가 스치듯이 흐름으로써 생성되며, RF power는 코일을 통해 가해지면서 진동하는 전자기장이 형성된다. 플라즈마는 플라즈마의 근원이 되는 전자와 이온들을 생성하는 전기적 방출에 아르곤가스를 노출시킴으로써 아르곤이 전도성을 띠면서 만들어진다. 유도된 자기장 내부에서 하전된 입자들은 닫혀진 고리모양의 경로를 따라 흐르면서 에너지를 얻고, 하전된 입자들이 RF 필드에 결합됨으로써 열이 방출되고 추가적인 이온화가 일어난다. 이러한 ICP의 특징은 시료를 좁은 범위로 놓여지게 하며, 광학적으로 얇은 방출원과 화학적으로 안정적인 환경을 제공하여 분석에 있어서 넓고 유동적인 범위와 최소한의 화학적 간섭을 가능하게 한다.
1.3. 실험 방법
시료용액, Blank 용액 제조 과정은 다음과 같다. 먼저 시료용으로 포도를 잘게 찢어 균질화시킨다. Microwave vessel에 시료 약 2 g을 취하여 넣고 질산 약 10 mL를 첨가한다. Blank 용으로는 microwave vessel에 질산 약 10 mL만을 넣는다. 그 후 cap으로 뚜껑을 닫고 microwave에서 분해시킨다. 분해가 끝나면 microwave vessel의 cap을 열어 기체를 빼고, 정제수를 넣어 흔들어 준다. Whatman No.40 또는 이와 동등한 여과지로 100 mL 부피플라스크에 여과하고 정제수로 여과시켜 표선을 맞춰 시료 용액으로 사용한다. Blank 용액도 동일한 방법으로 준비한다.
STD 용액 제조 과정은 다음과 같다. 식약처 기준인 Pb, Cd와 추가적으로 As, Cu, Zn 원소를 분석하기 위해 각각의 원소 STD 1000 ppm를 1 mL씩 넣고, 정제수 5 mL를 넣어 100 ppm Mix STD를 제조한다. 이렇게 제조한 100 ppm Mix STD를 Blank 용액으로 순차적으로 희석하여 0.05 ppm, 0.1 ppm, 0.25 pp...
참고 자료
식품공전
재료과학과 공학 7판, 시그마프레스, William D. Callister, Jr, 2007
재료과학과 공학 6판, 제 11장 금속 합금. William D.
분말 X선 회절과 박막 X선 회절 원리의 비교 (삼성전자 반도체 연구소) - 황철성
주사현미경 분석과 X선 미세분석, 윤존도 외, 2005
Copper-Fundamental Mechanisms for Microelectronic Applications - Shyam P. Murarka, Igor V. Verner, Ronald K. Gutmann
고체전자공학(2001) - STREETMAN 저, 곽계달, 김성준, 전국진 역
Elements of X-Ray Diffraction - B.D. Cullity, S.R. Stock, 고태경 역
ULSI Semiconductor Technology Atlas - Chih-Hang Tung, George T.T. Sheng, Chih-Yuan Lu
박막공학, 이문희, 두양사, 2009
결정성장학, 김현구, 대웅, 1998
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