Photolithography

소개글

Photolithography

목차

1.실험제목 :
2.실험목적
3.실험이론
4.실험방법
5.실험 결과 및 고찰
실험을 마치며...

본문내용

1.실험제목 : Photolithography

2.실험목적
Photolithography를 이용해 실리콘 웨이퍼 위에 원하는 모양으로 산화층 패턴을 넣고 Al증착 바로 전단계까지 완성할 수 있다.

3.실험이론

Photolithography란?

우선 실리콘 산화막 위에 액상의 감광제 (photoresist)를 회전도포(spincoating)하여 적정한 두께로 형성하고, 소프트 베이크(soft bake)를 하여 감광제 속의 용제(solvent)를 제거하여 감광제가 끈적거리지 않도록 한다.
감광제가 코팅된 기판에 마스크를 정렬하고 자외선을 쪼여주면, 음성 감광제 (negativephotoresist)의 경우 빛을 받은 부분에서 cross link가 일어나기 때문에 현상액(developer)에 넣었을 때에 빛을 받지 않는 부분은현상액에 녹지만 빛을 받은 부분은 현상 후에도 남게 된다. 감광제와 기판의접착력을 향상시키고 감광제를 보다 단단히 하기 위해서 하드 베이크(hardbake)를 실시한 후에 실리콘 산화막을 식각(etching)하면 감광제가 보호막역할을 하기 때문에 감광제가 없는 부분만 식각이 된다. 마지막으로 본연의 역할을 수행한 감광제를 제거하는 공정으로 사진식각공정이 마무리 된다. 경우에 따라서는 감광제를 회전도포하여 현상하는 단계까지만의 공정을 사진식각공정이라고 칭하기도 한다. 보다 자세한 각 공정의 역할 및 공정 수행
시의 주요 고려사항은 다음과 같다.

① 회전도포 (Spin Coating)

회전도포의 목적은 웨이퍼 전체에 필요한 두께로 감광제를 균일하게 도포하는 것이다. 감광제의 두께와 균일도에 영향을 주는 요인들로는 점성계수, 다중체(polymer)함량, 회전 속도와 가속도 등이 있다. 점성 계수는 감광제 박막의 두께를 결정하는 가장 중요한 척도로, 반도체 공정에 쓰이는 대부분의 감광제는 16 ~ 60 cps 사이의 점성계수를 갖는다. 더 정확하고 유용한 척도는 다중체 함량인데, 이는 감광제에 있는 다중체의 양을 의미한다. 용제와 비교하여 다중체의 함량이 높을 경우에는 감광제의 점성이 높기 때문에 회전 도포 시에 두껍게 코팅이 되고, 다중체의 함량이 낮을 경우에는 얇게 코팅이 된다. 다중체의 함량이 너무 많을 경우에는 박막 두께의 균일도가 나빠지며, 다중체의 함량이

참고 자료

없음