photolithography 공정 과정 결과보고서

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본문내용

1. Wafer 준비
Wafer를 아무런 준비 없이 감광제 코팅을 하게 되면 wafer와 감광제 사이에 이물질이 간섭하여 mask 무늬를 조사하는 lithography 후 wafer위에 그 무늬가 잘 새겨지지 않을 수 있다.그래서 최대한 선명하고 뚜렷하게 새기기 위해 wafer위의 이물질의 간섭을 막기 위해 이물질을 제거한다.이 과정은 매우 중요한 과정으로 실제로 cleaning의 정도가 실제 공정 결과에 큰 영향을 보였다.우리는 에탄올, 아세톤, 증류수를 이용하였다.가장 효과적인 cleaning을 위해 ultrasonic cleaner를 이용하였다. Wafer는 파손되기 쉬워 거즈로힘을 주어 cleaning을 하는 것 보다 ultrasonic cleaner을 이용하면 파손의 우려가 적고 보다 효율적으로 cleaning이 가능하여 두비커에 아세톤,에탄올을 넣고 차례로 wafer를 넣어 ultrasonic cleaner로 cleaning을 진행하였다.다음 과정이 매우 중요한데 cleaning 후 비커에서 꺼낸 wafer들이 서로 겹쳐 있어 핀셋으로 파손의 위험성을 인지하여 매우 신중히 wafer들을 분리해 가며 꺼내면 물방울이 맺혀 잘 건조해 주지 않으면 물방울 무늬가 남아 버린다. 이때,거즈로 제거하면 이물질 간섭의 우려가 있어 blow 습기제거를 이용해 blower로 wafer위 물방울들을 모두 제거해 준다. (위 과정은 모두 손의 지문의 간섭을 막기위해 그리고 감광액이 피부에 유해하므로 라텍스 장갑을 끼고 진행하였다.)

참고 자료

http://webcache.googleusercontent.com/search?q=cache:VFcb6-gBo4UJ:fpml.yonsei.ac.kr/NFUpload/nfupload_down.php%3Ftmp_name%3D20181028121438.3550.7.1.pdf%26name%3D2018_Chap5-Chap9_%25EB%25B0%2598%25EB%258F%2584%25EC%25B2%25B4%25EA%25B3%25B5%25EC%25A0%2595%25284pages%2529.pdf+&cd=2&hl=ko&ct=clnk&gl=kr about 반도체공정-lithography