[반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry Etching, Metal Deposition

소개글

반도체공정 과정에 대한 실험 입니다.

목차

1. Cleaning & Oxidation
1) 실험 목적
2) 실험 이론 및 원리
3) 실험 방법
4) 실험 결과
5) 토의 사항

2. Photolithography
1) 실험 목적
2) 실험 방법
3) 실험 결과
4) 토의 사항

3. Dry Etching
1) 실험 목적
2) 실험 방법
3) 실험 결과
4) 토의 사항

4. Metal Deposition
1) 실험 목적
2) 실험 방법
3) 실험 결과
4) 토의 사항

본문내용

Photolithography
1. 실험 목적
실험에선 Developing time을 2분으로 고정하고 Exposure time을 조정 9초, 15초, 21초, 27초로 바꿔가면서 Photolithography를 진행하였을 때 PR두께에 어떤 변화가 있는지 관찰하는 것이 목적이다.

2. 실험 방법
2.1. 실험 과정
2.1.1. Cleaning 과정을 마친 시료를 200℃에서 10여분 간 dehydration 시킨다.
2.1.2. 시료를 HMDS 증기에 10여분간 노출시킨다.
2.1.3. 시료 위에 감광제를 뿌린 후 고속 회전하여 원하는 두께로 코팅한다.
2.1.4. 약 100℃의 핫플레이트에서 수분 간 soft baking을 한다.
2.1.5. 수 분간 시료를 대기 중에 놔둬 relaxation 시킨다.
2.1.6. 포토마스크와 사료를 align 한 후 9초 간 exposion한다.
2.1.7. exposion이 끝난 후 시료를 TMAH 용액에 2분간 담궈서 현상한다.
2.1.8. Photolithography 공정이 끝난 시료는 광학현미경 또는 FE-SEM을 통하여 PR 두께 변화를 측정한다.
2.1.9. exposion 시간을 15초, 21초, 27초로 바꿔가며 위 과정을 반복한다.

<중 략>

Metal Deposition
1. 실험 목적
금속 증착은 반도체에서 Etching공정 후 전극을 형성하기 위해 Si Wafer 위에 금속을 증착시키는 공정이다. 이후 Four-point-probe를 이용하여 면저항을 측정하여 어떤 재료가 면저항이 좋은지 측정하는 실험이다.

2. 실험 방법
2.1. 실험 변수 설정
2.1.1. Type of metals – Tl, Cr, Zn
2.1.2. Thickness of film – 30㎚(고정)

2.2. Metal Deposition Process
2.2.1. 흑연 도가니에 Tl을 잘게 잘라 넣는다.
2.2.2. e-beam evaporator 내부에 substrate로 위치시킨다.

참고 자료

없음