고분자 photolithography 결과보고서

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이번 실험은 반도체 Wafer위에 감광 특성을 가지고 있는 포토레지스트(photoresist)를 얇게 코팅시킨 다음에 원하는 Mask pattern을 올린 다음 광원에서 나오는 빛을 통해서 회로를 형성하는 photolithography에 대해서 원리와 과정을 알아보는 실험을 진행하였습니다.
이번 실험 과정에서는 먼저 Photolithography의 첫 번째 단계로서 Wafer 표면을 깨끗한 상태로 준비하기 위해서 Blower로 바람을 불어주어서 먼지를 제거하였습니다. Si-O-H 형태의 친수성 상태인 silicon-wafer표면을 소수성 상태로 바꾸어주기 위해서 Wafer의 표면에 HMDS(HexaMethylDiSilazane)코팅하는 과정을 진행 하였습니다. 이 과정은 PR와 Wafer간에 접착력을 향상 시키기 위한 과정입니다.

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