반도체 공정기술의 기본요소가 되는 박막증착, 포토리소그래피 공정에 대하여 실험

소개글

"반도체 공정기술의 기본요소가 되는 박막증착, 포토리소그래피 공정에 대하여 실험"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험목적
2. 이론
3. 실험

본문내용

제 1 . 장 실험목적
반도체 공정기술은 고집적도의 메모리나 아날로그 논리형 , 집적회로 제작에 필요한 기초
기술이며 다양한 소자 마이크로 ( , 머신 디스플레이 의) 제조에 적용되며 그 응용범위가 확
대되고 있다 이러한 . 반도체 공정기술의 기본요소가 되는 박막증착 포토리소그래피 , 공정
에 대하여 실험해본다.
제 2 . 장 이론
2-1. 기판 세정
2-1-1. 웨이퍼는 원재료에 따라 실리콘 게르마늄 등과 (Si), (Ge) 같은 단일원소 웨이퍼와
갈륨비소 인듐인 리튬탄탈산염 (GaAs), (InP), (Lithium tantalate, LiTaO3), 리튬니오브산
염(Lithium niobate, LiNbO3), (Quartz) 석영 등 화합물 웨이퍼로 나눌 수 있다.
반도체 제조에 일반적으로 사용되는 실리콘 웨이퍼 종류는 측정 장치를 쓰면 쉽게
판별할수 있지만 생산현장에서 일일 측정하는 번거로움을 줄이기 위하여 자체에 wafer
그 타입과 격자 방향을 표시했다 작업자들이 . 웨이퍼의 형태만 보고도 즉시 웨이퍼의 타
입과 격자 방향을 알도록 하는 것이다.
표시 방법은 그림 와2 . 같다 웨이퍼 한쪽을 좀 많이 반듯하게 갈아 놓고(primary flat
이라 함 다른 ) 위치에 좀 작게 갈아 놓아서 이라 (secondary flat ) 함 그 두 종류의
반듯한 부분 (flat) 사이의 각도에 따라 네 가지 종류를 분별할 수 있도록 하였다.
flat 예를 들면 두 사이의 각도가 90 p-type [100] 도이면 의 방향 실리콘 웨이퍼이고
두 flat 45 사이의 각도가 도이면 n-type [111] 의 방향 실리콘 웨이퍼이다.

참고 자료

없음