SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 [결과]

소개글

SiO2 박막의 식각 및 PR 제거 결과보고서 입니다.

목차

1. 실험목적
2. 실험내용
3. 실험절차
4. 결과 레포트 과제(각 공정에 대한 간략한 이론 첨가)
5. 실험결과
6. 고찰 및 느낀 점

본문내용

1. 실험목적

여러 가지 전기 및 전자기기에 사용되는 반도체 소자의 제조공정은 박막재료의 세 가지 공정으로 나눠지는데 첫째로 증착공정 둘째로 마스크의 패턴형성 그리고 셋째로 식각공정으로 나눠진다. 이러한 공정 가운데서 중요한 공정은 박막의 식각공정으로서 마스크 패턴을 가지고 증착된 박막을 식각하는 것이다. 본 실험에서는 마스크에 의하여 형성된 패턴을 증착된 박막위로 전달하는 식각공정에 대하여 이해하고 그에 따른 박막의 표면과 두께의 변화 등에 대하여 고찰하고자 한다.

2. 실험내용

가장 널리 사용되는 실리콘 산화막(silicon oxide; SiO2) 박막을 적절한 식각가스를 선택하여 반응성 이온 식각장치(reactive ion etcher; RIE)를 이용하여 식각한다. 식각 전후의 산화막의 색깔 변화를 관찰하여 식각된 두께를 측정하고 식각에 의하여 형성된 패턴의 모양을 관찰한다.

3. 실험절차

1) 산화막(SiO2)의 패터닝(patterning) - Lithography 공정 (조교가 수행)
2) 패턴된 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
3) 패턴된 산화막을 반응성 이온 식각장치를 사용하여 적절한 식각가스와 파워를 선택하여 식각 실험을 진행
4) 식각된 산화막의 표면의 색깔과 패턴 모양 관찰 - 광학 현미경 사용
5) 마스크 패턴의 제거(O2 plasma ashing) - 플라즈마 애슁장치를 이용하여
산소 플라즈마를 발생시켜서 적절한 조건에서 마스크 패턴을 제거
6) 마스크 패턴을 제거한 산화막의 표면 색깔과 패턴 모양 관찰 -광학 현미경 사용

참고 자료

없음