부산대학교 MEMS 실험 3 (박막형 반도체 가스센서) 결과 보고서
- 최초 등록일
- 2020.05.17
- 최종 저작일
- 2018.01
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소개글
"부산대학교 MEMS 실험 3 (박막형 반도체 가스센서) 결과 보고서"에 대한 내용입니다.
목차
1. 실험 목표2p
2. 실험 장비2p
3. 실험 방법3p
1) Lithography and Lift-off(Bottom electrode)
2) Sensing layer deposition by Sputtering
3) Lithography
4) Plasma etching and mask removal
4. 실험 결과8p
5. 분석 및 고찰8p
1) Image reverse를 하는 이유
2) Al을 Etching mask로 선정한 이유
3) 증착이 완벽하게 되지 않은 이유
4) Plasma Etching 조건 중 가스의 단위가 다른 이유
5) Plasma Etching의 원리
6) PAN Solution의 원리
7) 완성된 센서의 3D 모델링
6. 느낀 점11p
본문내용
1. 실험 목표
박막형 반도체 가스센서는 표면에 가스가 접촉했을 때 전기 전도도의 변화를 통해 가스를 인식하는 센서로, 검출 시간을 단축하기 위하여 많은 연구가 되었다. 이번 실험에서는 검출 시간을 측정하는 것이 아닌, 전극층과 층을 증착하고, 각 층의 색을 통해 잘 증착되었는지 확인하는 것이 첫 번째 목표이며, 잘 되지 않았다면 그 원인을 파악하는 것이 두 번째 목표이다.
2. 실험 장비
1) Spin Coater
2) Mask Aligner(MDS-400S)
3) Thermal & E-beam Evaporator
4) DC/RF Magnetron Sputter
5) ICP Plasma RIE Etcher
그림 ) Spin Coater
그림 ) Mask Aligner
그림 ) Evaporator System
그림 ) Sputtering System
그림 ) ICP Plasma RIE Etcher
3. 실험 방법 (※ 실험에서 사용된 웨이퍼는 /이다.)
1) Lithography and Lift-off(Bottom electrode)
(1) PR Lithography
1. Spin Coater을 이용한 Spin Coating
① 회전 속도와 시간 설정한다.
(500rpm 5초, 4000rpm 30초) -> 1.4의 두께로 도포 됨.
이유 : 처음부터 빠른 속도로 회전시키면 잘 퍼지지 않기 때문.
2. Hot plate를 이용한 Soft Baking
① 5분간 100℃로 실시한다.
이유 : 필요 없는 Solvent를 제거하기 위해.
-> 부착성과 균일도를 증가시킬 수 있다.
3. Mask Aligner을 이용한 Alignment & Exposure
① 장비와 연결된 현미경을 통해 마스크를 정렬시킨다.
② 노광 조건을 설정하고 UV를 약 6초간 노광시킨다.
4. PEB(Post Exposure Baking)
① 2분 30초간 100℃로 실시한다.
이유 : 실험에서 사용한 PR은 AZ5214로 Positive 타입의 물질이다. 이 PR을 이용하여 Image reverse를 실시하였는데, 이를 위해서 PEB가 실행되어야 한다. 자세한 내용은 분석 및 고찰에서 다룰 것이다.
참고 자료
없음
