[신소재기초실험]MOS 소자 형성 및 C-V 특성 평가

소개글

"[신소재기초실험]MOS 소자 형성 및 C-V 특성 평가"에 대한 내용입니다.

목차

1. 실험 목적

2. 실험 이론 및 원리
1) MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자
2) Oxidation 공정 : Thermal Oxidation
3) 사진식각공정
4) 기상증착법(Vapor Deposition)
5) Sputtering (증착도금, 진공증착)

3. 실험 방법

4. 실험 결과
1) 결과 분석

5. 토의 사항
1) 실험 고찰

본문내용

1. 실험 목적
1.1. MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)소자를 직접 제작하여 공정과정들을 이해하고, 그래프를 해석하며, SiO2의 두께에 따라 유전상수의 변화를 알아본다.

2. 실험 이론 및 원리
2.1. MOS(Metal-Oxide-Semiconductor) 소자
2.1.1. 재료적인 측면
SiO2보다 유전상수가 큰 절연층을 사용한다. 는 절연체역할과 유전체 역할을 한다
유전체란 전기의 절연체를 전기장내에 놓았을때 표면에 전하가 유기되는 현상이 잇는데 이러한 관점에서 절연체를 다룰 때 이것을 유전체라 한다. drain current를 증가시키기 위해 capacitance값이 커야하는데 소자의 크기가작아지면 산화물 박막의 enRP를 감소시켜 capacitance값을 보상해줄수있지만 얇아지는것에 한계가있어 더 이상 얇아지는 것은 불가능하다.

<중 략>

5. 토의 사항
5.1. 실험 고찰
5.1.1. 그래프의 세 가지 영역이 나타나는 이유
① Accumulation(축적) : 게이트와 기판간에 음전압이 인가되었을 때,P형 기판의 수많은 정공이 반도체 표면으로 유인된다. 이와 같이 다수캐리어의 표면 농도가 증가되는 현상을 축적이라 부른다.
② Depletion(공핍) : MOS 커패시터의 게이트에 양전압이 인가되었을 때, 표면으로부터 정공을 몰아내면서 표면에 공핍층을 형성한다. 공핍층은 인가된 전압에 의존한다. 결론적으로, 커패시턴스는 게이트전압에 의존하며 게이트 전압이 증가할수록 커패시턴스는 더 작아진다.

참고 자료

반도체공정개론, Richard C.Jaeger, 교보문고
반도체 공학, U.kawabe, T.saitoh, (주)북스힐
전자재료, H.L.kwok, Thomson
반도체공학, Sima Dimitrijer