Patterning and treatment of SiO2 thin films 결과보고서 인하대학교 A+

목차

1. 서론 (실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)
2. 실험방법
3. 실험결과 및 분석
4. 결론
5. Process problem

본문내용

1. 서론(실험개요, 목적, 필요성 등을 서술)
마스크에 의해 박막위에 패턴을 새기는 공정을 이해하고, 표면의 두께를 측정하며, 변수에 따른 식각 전과 후의 두께의 변화를 확인한다.

2. 실험방법
1. 수도라인 밸브 및 가스밸브를 모두 열어줍니다.
2. 시료를 준비하고 시료를 챔버에 넣기전에 블로워로 먼지를 제거해줍니다.
3. 챔버에 넣고 RV버튼을 눌러 Rotary pump와 챔버를 연결해줍니다.
4. R.V에 불이 들어오면 각각의 유량에 맞게 해당하는 값들을 넣어줍니다.
5. ON버튼을 눌러 가스를 유입시키고 throttle 밸브를 돌려 공정압력을 조절해줍니다.
6. 원하는 공정압력에 맞춰준 후 power control에서 ON버튼을 누른 후 원하는 RF power를 맞춰줍니다.
7. 실험시간 1분30초동안 진행하고 시간이 다되면 0W로 돌린 후 OFF시킵니다.
8. 가스를 모두 닫아주고 RV버튼을 눌러 밸브를 닫고 RP버튼을 눌러 펌프를 꺼줍니다.
9. venting밸브를 돌려 챔버를 엽니다.
10. 위의 과정을 150W와 250W 각 한번씩 총 두번 진행합니다
11. 각각의 과정에서 나온 시료를 O2를 주입하고, 유량을 설정하며 RF power를 300W로 맞춰주고 나머지는 위의 과정과 동일하게 진행하여 줍니다.

참고 자료

[Xiao, Yu Bin/Evolution of etch profile in etching of CoFeB thin films using high density plasma reactive ion etching/Elsevier ScienceDirect Journals/ Vol.519(20)/2011/ pp.6673-6677]
[Gou, Jun/Enhanced selectivity over a photoresist film and process optimization for reactive ion etching of NiCr/Elsevier ScienceDirect Journals/Vol.113/2014/pp.136-139]