트랜지스터 증폭회로2 예비보고서

목차

1. 개요

2. 관련이론
1) 컬렉터 공통 증폭회로-에미터 플로워
2) Darlington 증폭회로

3. 실험기기

4. 예비보고서

5. 실험순서

본문내용

I. 개요
앞의 실험에 이어 common-collector 형태의 emitter follower 회로 및 Darlington amplifier를 만들어보고, 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터의 이해를 높인다. 이 과정에서 입력 임피던스, 출력 임피던스의 개념을 심화하고 buffer의 개념을 익힌다.

2. 관련이론
1) 컬렉터 공통 증폭회로-에미터 플로워
컬렉터 공통 증폭회로의 기본회로
그림1은 common-collector amplifier의 기본회로이다. 트랜지스터의 emitter측에 저항이 연결되어 있고 collector단자는 전원에 직접 연결되어 있는데 이를 common-collector amplifier 혹은 emitter follower라 부른다. 이 회로는 emitter단자에서 출력이 나오며 트랜지스터의 active상태에서 Vout과 VBB는 다음과 같은 관계를 갖는다.
V_out=V_in-V_BE (1)
Vout과 Vin은 항상 VBE만큼 일정한 차이가 나게 되므로 Vin의 변화가 Vout에 그대로 반영된다.

컬렉터 공통 교류신호 증폭회로
그림2의 교류신호는 컬렉터 공통 증폭회로의 구성을 보여주고 있다. 직류전압에 교류전압을 중첩시키기 위해 전압분배에 의한 직류bias회로를 사용하고, 교류신호원을 접속하여 이를 base에 인가한다. 이렇게 하여 pulse하는 base 전압은 emitter 출력단 전압의 pulse로 나타나게 되며 출력단의 커패시터는 직류성분을 제거하여 교류성분만 부하에 인가되도록 한다.

전압분배 bias 회로는 실험4의 emitter common amplifier와 같은 것으로 생각할 수 있다. bias회로의 내부저항이 base 입력 임피던스에 비해 충분히 작은 값이 되도록 하면 base 입력단에는 전압분배에 의한 일정한 전압
V_TH=R_2/(R_1+R_2 ) V_CC (2)
이 그대로 나타나는 것으로 볼 수 있다.

참고 자료

없음