트랜지스터 증폭회로1 결과보고서

목차

1. 개요
2. 실험기기
3. 실험결과
4. 고찰

본문내용

I. 개요
트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 bias의 개념과 적절한 bias에 의한 동작점의 설정, 교류 등가회로 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다.

2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 함수발생기, 직류전원장치, 교류전압계, 교류전류계, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 저항 220Ω 1개, 10kΩ 3개, 100kΩ 2개, 2.2kΩ 2개, 10kΩ 3개, 2.2kΩ 2개, 3.6kΩ 3개, 세라믹 커패시터 0.1uF 5개, 트랜지스터 2N3904 3개

3. 실험결과
(1) 그림9의 회로를 결선하고 함수발생기의 출력을 0으로 한 상태에서 트랜지스터의 collector, emitter, base 단자의 전위를 측정하고 이로부터 동작점을 결정하라.

예상 회로 결선 회로

예상 값 측정 값
VBB 1.789V
VC 5.99V
VE 1.122V
- VCE = 6.02V - 1.24V = 4.78V, IC = (VBB - 0.7V) / RB = 1.19mA로 Q-point는 (4.78V, 1.19mA)이다
- 예비보고서 2항의 결과인 (4.93V, 1.1mA)와 거의 유사한 것을 확인할 수 있다. 그러나 VCE를 직접 오실로스코프에서 측정하였을 때 전압이 측정되지 않아 VC-VE의 공식을 통하여 VCE를 구할 수 있었다.

참고 자료

없음