트랜지스터 증폭회로1 예비보고서

목차

1. 개요

2. 관련이론
1) 트랜지스터에 의한 교류신호 증폭의 원리
2) 트랜지스터의 바이어스
3) 교류신호의 인가와 교류성분 출력의 추출
4) 교류 등가회로와 증폭률
5) 입출력회로를 고려한 교류등가회로
6) 에미터 접지저항(swamp resistor)의 삽입

3. 실험기기

4. 예비보고서

5. 실험순서

본문내용

I. 개요
트랜지스터에 의한 소신호 증폭회로의 기본이 되는 common emitter 증폭회로를 만들어보고 그 동작을 확인함으로써 트랜지스터 증폭회로의 이해를 높인다. 이를 통해 bias의 개념과 적절한 bias에 의한 동작점의 설정, 교류 등가회로 입출력 임피던스가 갖는 의미를 이해하도록 한다.

2. 관련이론
트랜지스터에 의한 교류신호 증폭의 원리
트랜지스터가 active region에서 동작할 때 IC는 IB에 의해 제어되는데 IB의 작은 변화에도 β_ⅆc에 의해 IC가 크게 변화한다. 이러한 특성을 이용하면 작은 신호의 변화로 큰 신호의 변화로 증폭하는데 사용할 수 있다.
그림1은 이런 증폭과정을 요약하고 있다. 그림의 회로는 전형적인 트랜지스터 전류원 회로로 VBB가 인가되면 emitter단자에는 VBE를 뺀 값만큼의 전압이 나타난다. 이 전압이 RE에 걸리게 되므로 트랜지스터를 통하여 흐르는 전류는 다음과 같다.
I_C=(V_BB-V_BE)/R_E (1)
이 전류 값은 β_ⅆc에 무관하게 고정된 값이며 IB는 I_C/β_ⅆc가 된다. 즉 β_ⅆc가 변동하면 IB가 변동하면서 IC는 일정한 값으로 유지된다. (R_C+R_E ) I_C< V_CC의 조건이 만족되는 범위(saturation region에 이르지 않는 범위)에서는 RC의 값에도 무관하게 일정하다. 따라서 RC의 입장에서 볼 때 이 회로는 전류원인 것처럼 동작하게 된다.
만일 VBB에 교류전압이 인가된다면 식(1)에 의해 주어지는 IC(IB 또한)도 pulse하게 된다. IC가 변화하면 그림1의 회로처럼 RC에서의 전압강하가 변화하기 때문에 collector단자의 전압이 pulse하게 된다. 이러한 동작은 트랜지스터의 동작점이 Q를 중심으로 A와 B점 사이를 왕복하는 것으로 표현할 수 있다.

위의 과정에서 VBB의 amplitude가 작아도 최종적인 VC의 amplitude는 상당히 클 수 있다.

참고 자료

없음