MOSFET 응용회로 및 주파수 특성 결과보고서

목차

1. 개요
2. 실험기기
3. 실험결과
4. 고찰

본문내용

I. 개요
Field Effect Transistor(FET)의 일종인 MOSFET의 응용 회로들을 구성해보고, 증폭기에서 주파수 특성에 대해 공부한다.

2. 실험기기
테스터, 오실로스코프, 함수발생기, 직류전원장치, 교류전압계, 교류전류계, 만능기판, 만능기판용 전선, 스트리퍼, 트랜지스터 2N7000 1개, 세라믹 커패시터 1000pF 1개, 0.1μF 1개, 저항 68Ω 1개, 1kΩ 1개, 330kΩ 1개, 1MΩ 1개

3. 실험결과
(1) 그림 2(a)의 스위칭 회로를 결선하고 함수발생기의 전압 (게이트 입력 전압)을 0으로 한 상태에서 E_MOSFET의 드레인 전압을 측정하고, 드레인 저항에 흐르는 전류를 측정하시오.
예상 회로 결선 회로

예상 값 측정 값
VD 20V 20.2V
ID 0A 약 0A
- Power supply에서 전원을 공급하는 과정에서 약간의 오차가 발생하여 drain voltage는 20.2V로 측정되었다. Drain voltage를 구하는 공식을 역으로 이용하여 전류를 구하면 -0.0002로 전류가 거의 흐르지 않는 것을 알 수 있다. 이는 예상 시뮬레이션의 값과 동일하다.

참고 자료

없음