트랜지스터 기초실험 예비보고서

목차

1. 개요

2. 관련이론
1) 트랜지스터
2) emitter 공통회로와 부하선
3) 트랜지스터 특성곡선의 관측
4) 부하선의 관측
5) 트랜지스터의 검사

3. 실험기기

4. 예비보고서

5. 실험순서

본문내용

I. 개요
쌍극성 트랜지스터의 기본적인 동작원리를 익히고 트랜지스터회로에서 부하선과 동작점의 개념을 익힌다.
또한 트랜지스터의 특성곡선을 실험적으로 확인한다.

2. 관련이론
트랜지스터
트랜지스터(transistor)는 N형 반도체와 P형 반도체를 NPN 혹은 PNP의 격층구조로 조합한 소자이고, Collector, Emitter, Base라고 하는 세개의 단자가 있다. 그림1에 본 실험에 사용될 범용 트랜지스터인 2N4401 NPN 트랜지스터의 외관과 기호를 나타낸다.

트랜지스터의 주단자는 Collector와 Emitter이다. 따라서 트랜지스터의 전류는 Collector에서 Emitter로 소자를 관통하여 흐르는 전류 IC를 말하며 트랜지스터 소자의 양단 전압은 Collector와 Emitter 사이에 걸리는 전압 VCE를 뜻한다. 트랜지스터의 특성이란 이들 두 변수 사이의 전압-전류 간 관계를 의미하는데, 사용자가 base 단의 전류를 변화시킴으로써 그림2와 같이 특성곡선을 변화시켜 줄 수 있다. 따라서 base는 트랜지스터의 동작을 사용자가 제어하기 위해 사용하는 제어단자라 할 수 있다.
IB가 0일 때는 collector와 emitter 사이의 임피던스가 매우 커서 open되는 것과 같아 cutoff상태(A곡선)에 있다고 한다. 그러나 IB를 인가하면 특성곡선이 변화해서 그림3의 B곡선과 같은 특성을 나타낸다. 이 곡선을 보면 전압이 상승할 때 전류도 함께 상승하다가 전류가 어느 값이 이르면(IC=40mA) 더 이상 상승하지 않고 전류가 일정하게 유지되고 이는 전압이 트랜지스터가 견딜 수 있는 한계까지 지속된다. IB를 2배로 하면 특성곡선이 전체적으로 같은 비율로 증가, C의 곡선과 같이 된다. 즉 IC가 머물러 있게 되는 전류 값도 함께 상승하여 앞의 경우에 비해 2배(80mA)가 된다. IB가 더 증가하면 특성곡선은 D, E 등으로 변화해 나가게 된다.

참고 자료

없음