Photolithography 예비보고서
- 최초 등록일
- 2011.07.10
- 최종 저작일
- 2011.06
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소개글
Photolithography 예비보고서
목차
1. 서론
2. Photolithography
3. 실험 방법
4. 참고 문헌
본문내용
Photolithography
○○○ 교수
□□□□ and ○○○ Laboratory, Department of ○○○, □□□ University
△△△
Department of ○○○, □□□ University
리소그래피는 포토레지스트를 도포하는 공정으로 시작해 노광, 현상, 에칭, 포토레지스트 제거에 이르는 일련의 프로세스이다. 현상까지를 레지스트 처리공정으로 하며, 에칭 공정과 분리해서 생각할 수도 있다. 현재, 패턴 노광은 레티클이라 불리는 마스크 기판에 의해 축소 투영 전사시킴으로써 행해지고 있다. 이 공정은 모든 프로세스 기술의 중심이며, 반도체 공장에서도 가장 많은 금액의 투자를 필요로 하는 장치이다. 패턴 형성 후에는 반드시 에칭 공정이 수반되며 현성된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 처리할 수 있다.
서 론
그리스어에서 파생된 말로서 돌(Litho)과 인쇄(graphy)의 합성어로 석판 인쇄술을 말한다 우리말로 사진식각 공정으로 표현할 수 있으며 반도체 공정에서는 투명 마스크 위에 형성된 극미세 패턴을 실리콘 웨이퍼위에 빛을 이용하여 그대로 전사하는 공정이다 반도체 전체 공정의 30% 이상을 차지하는 단위 공정으로 실리콘 웨이퍼 위에 후속 에칭 공정의 방어막 역할을 하는 유기물의 특정 패턴을 적절한 파장의 빛과 마스크를 이용하여 정확한 위치에 정확한 크기의 패턴을 전사하는 공정이라고 할 수 있다.
참고 자료
없음