실리콘 웨이퍼 표준 세정, Cr 증착, photolithography, Cr 식각 실험

소개글

반도체 제조공정 전반에 대한 실험이며 그에 대한 이론이 잘 정리 되어 있습니다.

목차

제 1 장. 실험목적
제 2 장. 이론
제 3 장. 실험
제 4 장. 실험 결과 및 고찰
제 5 장. 참고문헌

본문내용

제 1 장. 실험목적
반도체 제조공정의 핵심공정인 포토리소그래피 공정까지의 공정을 수행함으로서 세정방법과 증착의 원리, 포토리소그래피 공정의 중요성 등을 인식하고 공정을 이해하기 위함.

제 2 장. 이론
1. 세정법[1]
(1) 실리콘[3]
실리콘은 4개의 가전자를 가지는 기본적인 반도체 물질이다. 실리콘 안에 위치한 가전자 각의 전자수는 도체(1개의 가전자)와 절연체(8개의 가전자)의 중간이다. 실리콘은 자연에서는 순수한 상태로 발견되지 않는다. 반도체 제작을 위해서 실리콘은 반드시 불순물을 제거하고 정제하여 순수한 상태로 만들어야 한다. 이것은 보통 실리카(SiO2)와 다른 규산염에서 발견된다. 실리카는 모래와 유리의 주요성분이다. SiO2의 다른 형태는 수정(Quartz), 석영, 마노, 오팔이다. 실리콘의 녹는점은 1412℃이다. 실리콘은 유리의 파편과 같이 단단하고 깨지기 쉬운 물질이다. 그것은 매우 우수한 광택을 낸다. 실리콘은 금속과 같은 특징이 많이 나타남과 동시에 비금속의 특징도 나타낸다. 실리콘이 반도체로 분류되는 이유는 주기율표의 절연체와 도체의 중간에 위치하기 때문이다. 반도체 재료로서 실리콘을 사용하는 이유는 지구에서 두 번째로 풍부한 원소이고 지구 지각의 약 25%를 구성하고 있다. 공정이 적정하다면 실리콘은 반도체 제조에 적합하고 순도를 갖는 다량의 형태로 정제될 수 있고 그로인해 제조비용을 낮출 수 있다. 실리콘의 녹는점은 1412℃로 녹는 용융점을 갖는다. 높은 녹는점은 실리콘이 높은 온도의 공정을 견딜 수 있게 한다. 또한 실리콘으로 만들어진 반도체 소자는 넓은 온도범위에서 반도체의 응용성과 신뢰도를 증가시키고 작동할 수 있게 한다는 점이다. 마지막으로 실리콘표면위에 실리콘 산화물이 자연적으로 성장되는 능력을 갖는 이점이 있다. SiO2는 외부오염으로부터 실리콘을 보호하는 우수한 화학 장벽으로 동작한다. 또한 실리콘과 비슷한 녹는점을 가지고 있어서 높은 온도에서 공정이 가능하다.

참고 자료

이형옥, 집적회로 제조를 위한 반도체 공정 및 장치 기술, p.87~100, 263~272, 303~317, 성학당, 2005년
최우영 외 2명, 실리콘 집적회로 공정기술의 기초, p.314~325, 문운당, 2011년
Michael Quirk 외 1명, semiconductor manufacturing technology, p.167-170, 174, 319, 340, 341, 385-390, 414, 426, Prentice-Hall, 2001년
Milton Ohring, The Materials Science of Thin Films, Chapter3, Academic Press, 2001년
황호정, 반도체 공정기술, p279~ 285, 생능출판사, 2003년