홍익대학교 화학공학과 화공기초실험 MEMS 실험(예비보고서)

목차

Ⅰ. 설계 목적
Ⅱ. 제한 요소
Ⅲ. 실험 관련 이론
Ⅳ. 실험방법
Ⅴ. 실험 시 주의 사항
Ⅵ. 참고 문헌

본문내용

○Photolithography 기술에 대한 이해와 적용, 그리고 기본적인 유체역학 개념과 이의 미세유체장체에의 적용을 목표로 한다.○ MEMS와 미세유체공학에 대한 이해를 도모하고 기본적인 유체역학적 배경 이론을 학습한다. ○ 화학공학 분야에서 일반적으로 사용되는 기술에 대해 학습하고 설계 개념을 구체화하여 실험을 설계하는 능력을 배양한다.○ 미세유체공학은 현재 각분야에서 널리 쓰이고 있으며 발전 가능성 크고 화학공학의 기본 개념이 적용된 분야로 이론 및 해석에서 화학공학적인 의미를 찾기에 적절하다.

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Photo lithography / Soft lithography란?: 리소그래피란 컴퓨터에 의해 만들어진 미세패턴을 실리콘이나 유리와 같은 기판 위로 전사시키는 작업이다. 박막증착 단계 후 기판 위에 스핀코팅 장치를 사용하여 포토레지스트를 도포하는 것으로부터 시작한다. 스핀코팅된 포토레지스트는 포토레지스트에 남아있는 용매를 증발시키고, 접착력을 좋게 하기 위하여60 ~ 100℃의 온도에서 소프트베이크 과정을 거친다. 그리고 패턴의 정보가 담긴 마스크를 기판과 정렬한 후 포토레지스트를 436nm의 자외선에 노광한다. 노광된 포토레지스트는 양화(positive PR)식인지 음화(negative PR)식인지에 따라 현상과정에서 자외선에 노광된 부분 혹은 노광되지 않은 부분이 제거된다. 이후 밑에 증착된 박막 중 포토레지스트가 없는 부분을 통하여 외부로 노출된 부분은 에칭 과정에서 식각되어 제거된다. 식각 후에 남아 있던 포토레지스트를 용매 등에 의하여 제거하면 리소그래피 과정이 완료된다.

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Photo resist는 다양한 분류방법이 있으나 노광에 의해 생기는 용해 특성의 변화에 따라Positive Type과 Negative Type으로 나눌 수 있다.① Negative Photo Resist Negative Photo Resist는 노광에 의해 가교, 광이량화 등의 반응으로 분자량이 크게 증가하면서 용해성이 떨어지고 열적 특성, 내화학성이

참고 자료

김도현, “마이크로플루이딕스의 현황”, Korean Chem. Eng. Res., 42(4)(2004)
Frank M. White, Viscous Fluid Flow 2nd Ed., McGraw-Hill(1991)
Ronald F. Probstein, Physicochemical Hydrodynamic 2nd Ed. Wiley(1994)
식각의 원리, http://exelan3.blog.me/30084542927
Fluid Mechanics, CENGEL CIMBALA 저, McGraw-Hill(2009)