Photoresist 및 Photolithography

소개글

Photoresist 및 Photolithography

목차

1. Photoresist
가. photoresist의 분류
나. Photoresist의 요구 특성
다. Photoresist의 응용
라. Photoresist 시장 동향
마. 기술개발 동향

2. Photolithography
가. Photolithography 기술
나. Photolithography 공정과 정전기 관리

참고자료

본문내용

1. Photoresist
가. photoresist의 분류
- Positive Photoresist
1) 용해 억제형 Photoresist
: 2㎛의 최소 선폭이 요구되는 256K DRAM으로부터 0.352㎛의 최소 선폭이 요구되는
64M DRAM까지는 NDS 감광제와 NR 수지로 이루어진 Positive Photoresist가
주로 이용되고 있다. 알칼리 용액에 의한 현상과 높은 해상도를 특색으로 하고,
방향족 수지를 주성분으로 하는 것으로, 건식 에칭 내성도 높다. 알칼리에 녹지 않는
NDS 화합물은 NR 수지의 알칼리 용해성을 억제한다. 노광에 의하여 NDS는
친수성의 인덴 카르복실 산으로 변함으로써 용해 억제력을 잃고, 알칼리 현상액에
의하여 Positive Photoresist 패턴이 얻어진다.
2) 주쇄 절단형 Positive Photoresist
: PMMA는 최초로 전자선, DUV 레지스트로 사용되었으며, 주쇄 절단에 의하여
분자량이 저하하고, 용해성이 증가하여 Positive 상을 만든다. 노광에 의한 측쇄
절단으로 가스상의 분자가 발생하고, 세공구조가 생겨서 용해성이 향상한다.
고해상도 레지스트로써 8㎚ 전자선으로 두께 60㎚의 PMMA 필름에서 16㎚선이
가공되었다. 그러나 감도가 낮아 실용적이지는 못하다. Poly(hexafluorobutyl
methacrylate)(FBM)는 0.4uC/cm²의 높은 전자선 감도를 나타낸다. 불소화
poly(methacrylicester)의 감도 향상은 주쇄절단 효율이 높아지기 때문이 아니고
용해특성의 향상에 의한 것이다. poly(trifluoroethyl a-chloro arcylate)(EBR-9)은
고감도이고, FBM은 전자선에 의한 마스크 제작에 사용되고 있으며 DUV

참고 자료

Photoresist 및 Photolithography