[반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation)

소개글

"[반도체공정실험]Cleaning & Oxidation, Photolithography, Dry etching, Metal Deposition, Annealing(Silcidation)"에 대한 내용입니다.

목차

I. Cleaning & Oxidation
1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 토의 사항

II. Photolithography
1. 실험 목적
2. 실험 이론 및 원리
3. 실험 방법
4. 실험 결과
5. 토의 사항

III. Dry etching
1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 토의 사항

IV. Metal Deposition
1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 토의 사항

V. Annealing(Silcidation)
1. 실험 목적
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 토의 사항

본문내용

Photolithography
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Wafer cleaning & Oxidation’ 공정을 실시한 후 Si기판 위에 패턴을 형성하는 공정인 ‘Photolithography’를 실시하며 FE-SEM을 이용하여 PR inspection을 측정한다. 이번 실험에서 PR두께는 1～2micrometer로, Developing time은 90sec로 고정하며 Exposure time을 2, 5 10sec로 변화를 주어 노광 시간을 조정함에 따라 PR공정 결과에 어떤 영향을 주는지 확인하고자 한다.

2. 실험 이론 및 원리
2.1. Photolithography
박막 또는 기판 부분에 패턴을 새기기 위한 미세가공에 사용되는 공정이다. 흔히 반도체 공정에서 반도체 기판위에 원하는 회로 설계를 새기는 공정이다. Photolithography란 말 그대로 빛을 이용하는 공정으로 si wafer 위에 photo resist 물질을 얇게 바른 후 원하는 모양의 마스크를 올려놓고 빛을 쪼여줘 패턴을 형성하는 공정이다. 보통 빛은 자외선을 사용한다.

<중 략>

Dry etching
1. 실험 목적
MOS CAP을 제작하는 전체의 공정에서 ‘Photolithography’ 공정을 실시한 후 Si기판을 플라즈마를 이용하여 식각하는 공정인 ‘Dry etching’을 실시하며 FE-SEM을 이용하여 inspection을 측정한다. 이번 실험에서 전원의 세기를 300와트로 에칭 시간을 3min, 5min, 7min으로 변화를 주어 에칭 시간을 조정함에 따라 제품의 inspection이 어떤 영향을 받는지 확인하고자 한다.

참고 자료

없음