실험9_전자회로실험_예비보고서_MOSFET 기본특성

마미

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본문내용

1. 제목
- MOSFET 기본 특성
2. 실험 절차
[NMOS]
실험회로 1에서 R_sig를 10kΩ으로 고정하고, V_DD는 12V로 고정한 상태에서 V_sig에 6V의 DC 전압을 인가하고, V_0 전압이 6V가 되는 R_D를 구해서 표에 기록하라. 예비 보고 사항에서 PSpice를 이용해서 구한 값 부근에서 R_D 값을 변화시키면서 찾으면 효율적으로 찾을 수 있다. 또한, I_D를 측정하여 표에 기록하라.
V_sig 전압을 6V, R_D 저항을 0Ω으로 고정하고, V_DD를 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 V_DS 전압, 드레인 전류 I_D를 측정하여 표에 기록하시오.
표를 바탕으로 I_D - V_DS 그래프를 그리시오.
V_DD를 12V로 고정하고, V_sig 전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 V_GS전압 (V_1 전압), 드레인 전류 I_D를 측정하여 표에 기록하시오. 동작 영역을 확인하기 위해 V_DS 전압도 같이 기록하시오.
표를 바탕으로 I_D - V_GS 그래프를 그리시오. 또한 그래프로부터 문턱 전압(V_th)을 구하시오.

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