전자회로실험) ch.13 공통 게이트 증폭기 예비보고서

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본문내용

1. 실험제목
- 공통 게이트 증폭기

2. 주제
나머지 기본 증폭기 구조인 공통 게이트 증폭기에 대한 실험을 진행한다. 공통 게이트 증폭기는 입력 임피던스가 작아 전류를 잘 받아들이는 특성을 지니고 있다. 이 실험에서는 기본적인 증폭기 중에서 공통 게이트 증폭기의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통하여 확인하고자 한다.

3. 장비 및 기기
dc파워서플라이
디지털 멀티미터
오실로스코프
함수 발생기
저항
커패시터
2n7000

4. 실험절차
(1) 실험회로 1([그림 13-5])에서 VDD 값을 12V, vsig 값을 OV, Vb 값을 6V, VGG 값을 4V 로 두고, RGG 저항값이 2k2인 경우 VO의 DC 값이 6V가 되도록 하는 RD값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(VD, VG, VS) 및 전류(ID)를 구하고, [표 13-1] 에 기록하시오.

참고 자료

단계별로 배우는 전자회로실험
마이크로 전자회로

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