소오스 팔로워 [A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 전자회로실험,이강윤

소개글

"[A+/PSpice/배경이론포함(교재카피)/예비레포트] 소오스 팔로워 전자회로실험,이강윤"에 대한 내용입니다.

1. 만점 받은 보고서 입니다.
2. (중요)고찰 사항이 포함되어있습니다.
3. 결론 및 고찰이 자세히 서술되어있습니다.
4. 오차분석이 이루어져 있습니다.
5. PSpice 시뮬레이션이 포함되어 있습니다.

목차

1. 실험 개요

2. 실험 기자재 및 부품

3. 배경 이론

4. 실험 회로 및 실험 절차
1) 실험 회로
2) 실험 절차

5. PSpice 시뮬레이션

6. 결론 및 고찰
1) 결론
2) 고찰

본문내용

1. 실험 개요
이번 실험에서는 MOSFET을 이용한 기본적인 세 가지 증폭기 중에서 공통 소오스 증폭기를 실험하였다. 이번 실험은 나머지 두 가지 증폭기 구조 중의 하나인 소오스 팔로워에 대한 실험이다. 소오스 팔로워는 출력 임피던스가 작으므로, 작은 부하 저항을 구동하는데 많이 사용된다. 이 실험에서는 소오스 팔로워의 동작 원리를 살펴보고, 증폭기의 전압 이득 및 특성을 실험을 통해 확인하고자 한다.

2. 실험 기자재 및 부품
• DC 파워 서플라이
• 디지털 멀티미터
• 오실로스코프
• 함수 발생기
• M2N7000(NMOSFET) (1개)
• 저항
• 커패시터
• 브레드보드

3. 배경 이론
아래 그림과 같이 소스 팔로워 회로에서 입력은 게이트 단자에 인가되고, 출력은 소스 단자에서 감지된다. 드레인 단자가 공통이므로, 공통 드레인 증폭기라고 할 수 있다. 출력 신호가 입력 신호를 따라가기 때문에 <소스 팔로워> 라는 용어를 더 많이 사용한다. 또한 출력 신호의 DC 레벨이 입력 신호의 DC 레벨에서 V_GS만큼 떨어진 전압이 나오기 때문에, <레벨 시프터> 로서도 동작할 수 있다.

<중 략>

-실험 절차
(1). 실험회로 1에서 V_DD값을 12V, v_sig값을 0V, V_GG값을 6V로 두고, R_GG저항 값이 2kΩ인 경우 v_O의 DC 값이 4V가 되도록 하는 R_S값을 결정한다. 이 경우 MOSFET의 각 단자들의 전압(V_D,V_G,V_S) 및 전류(I_D)를 구하여, 표에 기록한다. 각 단자들의 전압을 바탕으로 MOSFET이 포화 영역에서 동작하는지 확인하시오.

(2). v_sig값을 0V, V_GG전압을 0V, 12V, 3V~9V는 500mV 간격으로 변화시키면서 v_O의 DC 전압을 측정하여 표에 기록하고, 입력-출력 전달 특성 곡선을 그리시오.

(4). 전압 이득이 1에 가깝게 나오는지 보기 위해 입력에 10kHz의 0.01V_(p-p)정현파의 입력 전압을 인가한다.

참고 자료

이 강 윤. “소오스 팔로워,” in 단계별로 배우는 전자회로 실험 : 기본 소자부터 응용까지, 1^sted. 한빛아카데미, 2014, ch 12, pp. 191-200
유 관 호. (2021). Ch.5 MOSFETs [pdf]. Available:
Adel S. Sedra. “Diodes.” in SEDRA/SMITH Microelectronic Circuits, SEVENTH ed. New York :OxFord University Press, 2015, ch 5, pp. 246-292