MOSFET의 기본특성 [A+/고찰사항포함/결과레포트] 전자회로실험, 고찰사항

소개글

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1. 만점 받은 보고서 입니다.
2. (중요)고찰 사항이 포함되어있습니다.
3. 결론 및 고찰이 자세히 서술되어있습니다.
4. 오차분석이 이루어져 있습니다.
5. PSpice 시뮬레이션이 포함되어 있습니다.

목차

1. 실험 결과 및 분석
2. 결론 및 고찰
3. 고찰사항
4. Reference

본문내용

2. 결론 및 고찰
-결론
이번 실험을 통해. NMOS의 특성을 잘 알 수 있게 되었다. 실험에서 도출한 I_D- V_DS의 그래프와 I_D- V_GS의 그래프를 그림으로써, 전반적인 NMOS의 동작에 대해 잘 알게 되었고, 동작 영역에 따른 특성 및 전압 변화에 따른 드레인 전류의 변화특성을 확실히 알게 되었다. 특히, (5)를 진행하면서 문턱 전압 V_th의 정의와 실제로 어떻게 나타나는지를 이해하게 되었으며, 2N7000의 데이터 시트를 확인하면서 소자를 어떻게 파악하는지 이해할 수 있게 되었다.

-고찰
이번 실험은 매우 단순해서 실험과정 중에서 어려움을 느끼지 못했다. 그럼 고찰을 서술하기 전에 우선 오차가 얼마나 발생했는지를 확인해보자. PSpice 모의실험에서는 0V, 3V~9V, 12V를 하였으므로, 두 공통 부분만 비교할 것이다.

참고 자료

이 강 윤. “MOSFET 기본 특성,” in 단계별로 배우는 전자회로 실험 : 기본 소자부터 응용까지, 1^sted. 한빛아카데미, 2014, ch 9, pp. 147-166
유 관 호. (2021). Ch.5 MOS Field-Effect Transistors (MOSFETs) [pdf]. Available:
Adel S. Sedra. “MOSFETs.” in SEDRA/SMITH Microelectronic Circuits, SEVENTH ed. New York :OxFord University Press, 2015, ch 5, pp. 247-291