포토리소그래피 (Photolithography)

소개글

포토리소그래피

목차

1. 포토리소그래피란?

2. 포토리소그래피의 세부 공정

3. 포토리소그래피의 재료

4. TFT 부분

5. Color Filter 부분

6. 앞으로 개선방향 및 전망

7. 참고 자료 출처

본문내용

1. 포토리소그래피란?
포토리소그래피 공정은 어떤 특정한 화학약품(Photo resist)이 빛을 받으면 화학반응을 일으켜서 성질이 변화하는 원리를 이용하여, 얻고자 하는 패턴(Pattern)의 mask를 사용하여 빛을 선택적으로 PR에 조사함으로써 mask의 패턴(Pattern)과 동일한 패턴(Pattern)을 형성시키는 공정이다. 포토리소그래피 공정은 일반사진의 필름(Film)에 해당하는 photo resist를 도포하는 PR 도포공정, mask를 이용하여 선택적으로 빛을 조사하는 노광공정, 다음에 현상액을 이용하여 빛을 받은 부분의 PR을 제거하여 패턴(Pattern)을 형성시키는 현상공정으로 구성된다.
포토리소그래피 공정은 모든 공정 단계(step)가 각종 particle에 대해 매우 취약하고, 이로 인한 패턴(Pattern) 불량이 전체 패널(Panel)의 불량을 유발하므로, 청정한 환경과 재료 및 장비의 관리가 보다 중요한 공정이며, 향후 TFT 제작공정의 고정밀, 대면적화에 따라서 그 중요성이 더욱 커지는 공정이다.

2. 포토리소그래피의 세부 공정

1) PhotoResist coating

a. Photoresist의 정의

Photo Resist는 화상형성용의 사진식각(Photoetching)에 사용되는 감광성 고분자를 일컫는다.
Micron이나 Micron 이하의 미세형상 구현이 요구되는 재료이다
반도체, LCD, 인쇄 분야, 인쇄 회로기판분야 및 정밀 가공 금속 제품이나 유리 제품의 제조 등 산업 전반에 널리 이용된다.
반도체 또는 LCD 제조공정에서의 Photo Resist는 빛에너지에 의해 분해 또는 가교 등이 일어나 그 용해 특성이 변화하는 물질이다.
Photo Resist 위에 원하는 Pattern이 그려져 빛을 선택적으로 투과시킬 수 있는 Mask를 놓고 노광(Exposure)하면 빛을 받은 특정 부위만 화학적으로 변화하게 된다.
이를 용매(Developer)에 처리하면 노광된 부분 또는 노광되지 않은 부분만 녹아 결국 Mask의 Pattern이 Photo Resist로 구현된다.

참고 자료

http://www.chem.hanyang.ac.kr:8001/hanyang/professor6/upload/Photolithography.pdf

http://www.ece.gatech.edu/research/labs/vc/theory/photolith.html

http://pltus.net/entry/Photolithography

http://www.icknowledge.com/misc_technology/PhotoChapter.pdf
 
http://blog.naver.com/dhdldh?Redirect=Log&logNo=20071012435

http://blog.naver.com/sini_yi?Redirect=Log&logNo=100038049669

칼라 TFT 액정 디스플레이 / SEMI カラ-TFT液晶ディスプレイ 改訂版編集委員會 編 ; 대한전기학회 ; 광원기술연구회 ; 교재출판위원 공역

액정 디스플레이 기술 / 네무라 쇼헤이 지음 ; 박규창 ; 민석기 [공]옮김