증착기를 이용한 반도체 공정
- 최초 등록일
- 2008.09.21
- 최종 저작일
- 2006.06
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소개글
증착기를 이용한 반도체공정에 대한 조사 자료
목차
◎ 증착기를 이용한 반도체 공정
Ⅰ. 증착
1. PVD (Physical Vapor Deposition)
2. CVD (Chemical Vapor Deposition)
Ⅱ. 반도체 공정 순서
1. 단결정 성장 (Crystal Growing)
2. 절단 (Shapping)
3. 경면연마 (Polishing)
4. 웨이퍼 가공
5. 리소그래피 (Lithography)
6. 증착 (Deposition)
7. 금속 배선
8. 테스트 & 칩 절단 (Probe Test & Die Cut)
9. 칩 접착 (Die Attach & Wire Bonding)
10. 성형 (Molding)
11. 최종검사 (Final Test)
Ⅲ. 참고문헌
본문내용
◎ 증착기를 이용한 반도체 공정
Ⅰ. 증착
- 금속 또는 비금속의 작은 조각을 진공 속에서 가열하여 그 증기를 물체면에 부착시키는 일.
고진공에 놓은 용기 속에 피복(被覆)될 물체와 그 표면에 부착시키려는 금속 등의 입자를 넣어 둔 다음, 히터에 전류를 흘러서 가열함으로써 그 금속입자를 증발시키면, 차가운 물체 표면에 응축해서 부착하는 것을 이용하여 표피(表皮)를 붙이는 방식이다.
모든 물품에 적용될 수 있다는 것이 특색이며, 천에 알루미늄을 붙이거나 플라스틱에 은을 붙일 수도 있다. 광학렌즈의 반사방지피막(被膜)도 플루오르화마그네슘 등을 진공 증착시킨 것이다. (네이버 백과사전)
증착은 크게 PVD (Physical Vapor Deposition) 과 CVD (Chemical Vapor Deposition)의 두 가지 방법으로 나뉩니다. PVD와 CVD의 차이는 증착시킬 물질이 기판에 증착될 때 물리적인 방법으로 증착이 되는지 화학적인 방법으로 증착이 되는지에 따라 나뉩니다. PVD의 경우는 진공상태에서 증착이 이루어지는 반면에 CVD는 진공상태가 아니어도 됩니다. CVD는 고온에서 일어나는 화학적인 변화 때문에 고온의 환경이 필요합니다.
PVD는 고품질의 박막이나 나노구조를 만들 때 쓰이지만 진공이 필요하기 때문에 장비가 고가이며 증착속도가 느린 반면 CVD는 넓은 면적에 빠른 속도로 박막이나 나노구조를 증착시킬 수 있습니다. 보통 PVD 증착법으로 고품질의 증착면을 얻을 수 있습니다.
각각의 증착법이 이용되는 분야는, CVD는 LED 제조에 많이 쓰이고 PVD는 PDP에서 금속 전극 및 유전체 증착과 도금 분야에 많이 쓰입니다.
참고 자료
1. “반도체 공정개론” - Richard C. Jaeger 저
2. “반도체 공정기술” - 황호정
3. 네이버 백과사전